表面化學反應過程是指步驟③和步驟④,硅烷的主要化學反應方程式為,g表示為氣態;a表示被襯底表面吸附狀態;s表示為固態;雙向箭頭表示有逆向反應存在。

   化學氣相淀積過程中,激活并OMAPL138BZWTD4維持化學反應的能量既可以是熱能也可以是其他形式的能量。在熱激活情況下,如果只有襯底溫度高,硅烷被吸附后只在襯底表面發生分解反應生成硅和氫原子;而被其他形式能量激活或反應室溫度較高的情況下,硅烷在氣相就可能已有部分分解為 SiH2,SlH2被吸附,在襯底表面發生分解反應生成硅和氫原子。在襯底表面的硅原子尚未實現完全的規則排列,形成的是多晶硅薄膜,而兩個氫原子結合成為氫分子,從襯底表面解吸。硅生長形成多晶膜的原因:其一是襯底溫度較外延低,硅原子在表面的遷移慢,未能全部遷移到結點位置;其二是淀積速率過快,未等硅原子全部遷移到結點位置就被其他硅原子所覆蓋,成為薄膜中的硅原子;其三是襯底表面可以不是單晶,如襯底硅片整個表面或部分表面已有氧化層。這三種原因可以全部存在或是其中的某一、兩個存在。由此可知CˇD的表面淀積過程與氣相外延的表面外延過程不盡相同。其他淀積薄膜如氮化硅、二氧化硅在反應室的化學過程比多晶硅更加復雜,且所淀積的氮化硅或二氧化硅在襯底表面都未實現規則排列,生長的是非晶態薄膜。