圖⒋28所示是在硅中高斯分布的硼經熱氧化后的濃度分布情況。圖中虛ORIONC1線表示的是熱氧化前理想的高斯分布,圓點表示的是熱氧化后硼分布的實驗結果。圖中實線是按Κ=0.1計算的再分布情形。

   圖⒋28 在硅中高斯分布的硼經熱

   了解熱氧化時s/SiO2界面雜質的再分布特性,可以通過氧化工藝來調整硅表面的雜質濃度。例如,在3DK4硼擴散預淀積工序中,當雜質濃度偏大時,就可以通過二次氧化(也就是再分布)來調整硅表面的雜質濃度:將干氧――濕氧一干氧I藝的初次干氧時間縮短,甚至直接進行濕氧,濕氧時間增加,但氧化總時間不變。工次氧化后,硅表面硼濃度將有所降低,這是因為在氧化引起雜質再分布的幾個因素中,⒊/SiO2界面移動速率是主要因素:濕氧氧化速率快,預淀積在硅表面的硼在還未擴散到硅內部時就被迅速生長的二氧化硅吸收。其次,由于雜質的分凝效應,二氧化硅吸收硼(K:=0.3)。