硅靶中幾種離子的RP、ARP及AR⊥的理論計算值
發布時間:2017/5/15 21:35:29 訪問次數:698
橫向效應指的是注人離子在垂直入射方向的平面內的分布情況。PG127S17考慮窗口邊緣處人射離子的濃度分布,假定掩膜窗口寬為楊,在窗口區(一伢,+曰)內,注入離子的劑量是恒定的,在掩膜窗口外的區域無離子透過掩膜。當窗口的寬度比橫向分量的離散大很多時,可近似用余誤差函數來表示沿橫向的分布函數,如圖69(bl所示。可以看到,在掩膜窗口內側,離子濃度較窗口中央也有減少;而在掩膜窗口邊緣,離子濃度降低至最大值的一半;而距離大于+〃或小于一曰時,各處的濃度按余誤差函數規律下降。
在垂直于離子入射方向J的平面內選定y軸和z軸,如 圖61o 四廴在y軸和氵軸的兩個分量 圖610所示是Ⅳt在y軸和z軸的兩個分量,分別用AR,和巫匕表示。對于各向同性的非晶靶,顯然y軸和z軸分量的平均值囚廴y帆≈都應等于零,而且面匕2和巫;y2相等。
表61給出了硅靶中幾種離子的RP、腿P及AR⊥的理論計算值相等。
表6-1 硅靶中幾種離子的RP、ARP及AR⊥的理論計算值
橫向效應指的是注人離子在垂直入射方向的平面內的分布情況。PG127S17考慮窗口邊緣處人射離子的濃度分布,假定掩膜窗口寬為楊,在窗口區(一伢,+曰)內,注入離子的劑量是恒定的,在掩膜窗口外的區域無離子透過掩膜。當窗口的寬度比橫向分量的離散大很多時,可近似用余誤差函數來表示沿橫向的分布函數,如圖69(bl所示。可以看到,在掩膜窗口內側,離子濃度較窗口中央也有減少;而在掩膜窗口邊緣,離子濃度降低至最大值的一半;而距離大于+〃或小于一曰時,各處的濃度按余誤差函數規律下降。
在垂直于離子入射方向J的平面內選定y軸和z軸,如 圖61o 四廴在y軸和氵軸的兩個分量 圖610所示是Ⅳt在y軸和z軸的兩個分量,分別用AR,和巫匕表示。對于各向同性的非晶靶,顯然y軸和z軸分量的平均值囚廴y帆≈都應等于零,而且面匕2和巫;y2相等。
表61給出了硅靶中幾種離子的RP、腿P及AR⊥的理論計算值相等。
表6-1 硅靶中幾種離子的RP、ARP及AR⊥的理論計算值
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