接近式光刻機是從接觸式光刻機發展而來的,并且在⒛世紀70年代的SSI時代和MSI早期同時普遍使用。 M74HC03B1R這些光刻機如今仍然在生產量小的實驗室或較老的生產分離器件的硅片生產線中使用,在那里更新設備在經濟上不可行。它們適用于線寬尺寸為2~4um。

   在接近式光刻中,也是直接復制整個硅片圖形,但掩模板不與光刻膠直接接觸,而與光刻膠表面接近,在掩模板和硅片表面光刻膠之間留有2.5~25um的間距。光源產生的光是被準直的,這意味

著光束彼此平行。

   接近式光刻企圖緩解接觸式光刻機的沾污問題,它是通過在光刻膠表面和掩模板之間形成可以避免顆粒的間隙實現的。盡管間距大小被控制,接近式光刻機的工作能力還是被減小了。因為當紫

外光線通過掩模板透明區域和空氣時就會發散(如圖10七1所示是接近式光刻機上的邊緣衍射和表面反射)。這種情況減小了系統的分辨能力,減小線寬關鍵尺寸就成了主要問題。