業界認識到需要遠離任何形式的接觸或接近光刻系統,因為它們存在沾污、邊緣衍射、分辨率M74HC08RM13TR限制等問題,并且依賴操作者。⒛世紀70年代初期,掃描投影光刻機(也叫掃描光刻機)的發展試圖解決這些問題。掃描投影光刻機在70年代末80年代初是占據主導地位的光刻設各。這些光刻機現在仍在較老的硅片生產線中使用。它們適用于線寬大于1um的非關鍵層。

   掃描投影光刻機(如圖10-32所示)的概念是利用反射鏡系統(基于反射的光學系統)把有1:1圖像的整個掩膜圖形投影到硅片表面。由于掩模板是1倍的,圖像就沒有放大和縮小,并且掩模板圖形和硅片上的圖形尺寸相同。

   紫外光線通過一個狹縫聚焦在硅片上,能夠獲得均勻的光源。掩模板和帶膠硅片被放置在掃描架上,并且同步地通過窄紫外光束對硅片上的光刻膠曝光。由于發生掃描運動,掩模板圖像最終被完全復制到硅片表面。

   掃描投影光刻機的一個主要挑戰是制造良好的包括硅片上所有芯片的1倍掩模板。如果芯片中有亞微米特征尺寸,那么掩模板上也有亞微米特征尺寸。由于亞微米特征尺寸的引人,使這種光刻方法很困難,因為掩膜不能做到無缺陷。