在濕法刻蝕硅的各種方法中,大多數OB2535CPA都是采用強氧化劑對硅進行氧化然后利用氫氟酸(HF)與⒊o反應來去掉硅,從而達到對硅的刻蝕目的c最常用的刻蝕溶劑是硝酸(HN03)與氫氟酸(HD和水(或醋酸)的混合液。

    反應生成的H2SiF6可溶于水。在腐蝕液中,加人醋酸(CH3CoOH)可以抑制硝酸的分解,從而使硝酸的濃度維持在較高的水平。對于HRHNC,混合的腐蝕液,當HF的濃度高而HNo3的濃度低時,硅的刻蝕速率由HNO3濃度決定,硅的刻蝕速率基本上與HF濃度無關,因為這時有足量的HF去溶解反應中所生成的⒏o2。當HF的濃度低而HNO3濃度高時,s的刻蝕速率取決于HF的濃度,即取決于HF溶解反應生成的⒊02的能力。

   此外,也可以用含K()H的溶液來進行⒏的刻蝕,化學反應方程式如式(1⒈2)所示。這種溶液對⒏(100)面的刻蝕速率比(111)面快了許多,如圖111所示,所以刻蝕后的輪廓將成為V形的溝渠狀。不過這種濕法刻蝕大多用在微機械器件的制造上,在傳統的℃I藝上并不多見。其化學反應方程式如下所示。