真實的系統要復雜得多,TA75358F其中包括如何將獨立的分離開來。由于需要同時測量這三個獨立的參量,一束光是不夠的(只有橫向偏移兩個自由度),需要至少兩束光。而且,如果需要探測在曝光區域或者狹縫(slit)上不同點的z、RⅠ、R,,還需要增加光點的數量。一般,對于一個曝光區域,可以多達8~10個測量點。但是,這種找平的方式有它的局限性。因為是使用斜人射的光,比如15°~⒛°掠人射角(或者相對垂直硅片表面方向上的70°~75°人射角),對于白光折射率為1.5左右的光刻膠、二氧化硅等表面,只有大約18%~25%的光被反射回來,如圖7.~90所示,其他大約75%~82%的進入探測器的光會穿透透明介質表面。而這部分透射光會繼續傳播,直到遇到不透明介質或者反射介質,如硅、多晶硅、金屬,高折射率介質,如氮化硅等,才被反射上來。因此,由找平系統(levelingsystcm)所實際探測到的“表面”會在光刻膠上表面下面的某個地方。由于后道(BacrEnd~of the-hne,BEOL)主要有相對比較厚的氧化物層,如各種二氧化硅,前道(Front End o⒈ theˉune,FEOL)與后道之間會存在一定的焦距偏差,一般在0,05~0⒛um之間,取決于透明介質的厚度和不透明介質的反射率。所以,在后道,芯片的設計圖案需要盡量均勻;否則,由于圖形密度的分布不均勻,會造成找平的誤差,以至于引人錯誤的傾斜補償,造成離焦(defocus)。