如果限定線寬的允許變化范圍為±9nm,那么可以從圖7.17上找出在最佳曝光能量時的最大允許焦距變化。不僅如此,由于實際工作中,

能量和焦距都是同時發生變化, TA75358如光刻機的漂移,需要得到在能量有漂移的情況下的焦距的最 大允許變化范圍。如圖7.17所示,可以一定的線寬允許變化范圍EL,如±5%為標準(EL=10%),計算所允許的最大焦距變化范圍,即在19~21mJ/cm2之間。可以將EL數據同焦距允許范圍作圖,如圖7.18所示。可以發現,在90nm△藝中,在10%EL的變化范圍下,最大的對焦深度范圍在0.30um左右夠不夠?一般來講,對焦深度同光刻機有關,如焦距控制精度,包括機器的焦平面的穩定性、鏡的像場彎曲、散光像差、找平(leveling)精度以及硅片平臺的平整度等。當然也 能量寬裕度(Exposure Lat“udc,%) 同硅片本身的平整度、化學-機械平坦化工藝所造成的平整度降低程度有關。對于不同的技術節點,典型的對焦深度的要求由表7.1列出。