光刻機的找平一般有以下兩種模式:

   (1)平面模式;在曝光區域上或者整片硅片上測量若干點的高度,然后根據最小二乘法定出平面; TA75393F

   (2)動態模式(掃描式光刻機專有):對掃描的狹縫區域內若干點進行動態的高度測量,然后沿著掃描方向不斷地補償。當然需要知道,找平的反饋是通過硅片平臺的上下移動和沿非掃描方向傾斜來實現的,它的補償只能夠是宏觀的,一般在毫米級。而且在非掃描方向(X方向),只能夠按照一階傾斜來處理,任何非線性的彎曲(比如鏡頭像場彎曲和硅片翹 曲)是無法補償的,如圖7:21所示。

   在動態模式下,有些光刻機還可以對硅片邊緣的非完整曝光區域(sl1ot)或者芯片區域(一個最大為26×33mm2的曝光區域,可以包含很多芯片區域,叫做由e),還可以停止找平測量,而使用其周邊的曝光或者芯片區域找平數據來做外延,以避免硅片邊緣由于過多的高度偏差以及膜層的不完整造成測量錯誤。在阿斯麥光刻機中,這種功能叫

做“與電路相關的硅片邊緣焦距測量禁止”(CircuitDependent Focus Edge Clearance,CDFEC)。