影響對焦深度的因素主要有幾點:系統的數值孔徑、照明條件(Ⅱltlmillcao∞colldhon)、S1226-8BQ形的線寬、圖形的密集度、光刻膠的烘焙溫度等。如圖7.22所示,根據波動光學,在最佳焦 距,所有匯聚到焦點的光線都具有同樣的相位;但是在離焦的位置上,經過鏡頭邊緣的光線同經過鏡頭中央的 鏡頭光線走過不同的光程,他們的差為(FF′~OF′)。當數值孔徑變大時,光程差也變大,實際在離焦處的焦點光 強就變小,或者對焦深度變小。在平行光照明條件下, 最佳焦距對焦深度(瑞利,Rayleigh)一般由以下公式給出,其中,矽為鏡頭的最大張角,對應數值孔徑比較小時,可以近似寫成 ,當NA越大時,對焦深度越小,對焦深度同數值孔徑的平方成反比。

   不僅數值孔徑會影響焦深,照明條件也會影響焦深,比如,對密集圖形,而且空間周期小于^/NA,離軸照明會增加對焦深度。有關這部分內容將在第七節7.1小節中同離軸照明再討論一次。此外,圖形的線寬也會影響對焦深度,比如細小圖形的對焦深度一般比粗大圖形的要小。這是由于細小圖形的衍射波角度比較大,它們在焦平面的匯聚相互之間的夾角比較大,如同剛才的論述,對焦深度會因此比較小。再者,光刻膠的烘焙溫度也會在一定程度上影響對焦深度,較高的曝光后烘焙(Post Exposure Bake,PEB)會造成在光刻膠厚度范圍內對空間像對比度在垂直方向(z)上的平均,造成增大的對焦深度。不過,這是以降低最大像對比度為代價的。