氮化硅在半導體制程上的生長方式,象氧化硅一樣,有爐管批和單片化學氣相沉積(CVD)法, S912XEP100W1MALR主要應用是作刻蝕的硬式幕罩或化學機械研磨(CMP)和干刻蝕的停止層,如淺溝槽隔離(STI)刻蝕幕罩,柵極多晶硅(POI'Y)刻蝕幕罩,先進制程NMOS應力記憶技術(SMT)幕罩等。不同的應用,就有不同的去除方法,主要考慮臨近膜層的刻蝕選擇比。

   氮化硅磷酸濕法刻蝕

   氮化硅濕法去除的普遍方法是熱磷酸溶液。85%的濃磷酸混人少量水,溫度控制在150~170℃,對爐管氮化硅的刻蝕率大約50A/min;而對CVD氮化硅會更高,如果制程有回火步驟,則刻蝕率會受很大影響,應依據不同的條件測定實際的結果。為了提高對氧化硅的選擇比,放人氮的硅晶片,溶入一定的硅,或使用120~150℃的低溫磷酸;反應的主體是氮化硅和水,磷酸在此反應中僅作為催化劑,氮化硅在干刻蝕中作為硬式幕罩,一旦刻蝕完成,就要去除這層幕罩。刻蝕時間的制定是根據刻蝕率,先計算一個理論值,又囚為氮化硅膜層沉積受生長方式和器件結構的影響,不同晶片或同一晶片不同部位都會有厚薄不均現象,為了徹底清除,以免殘留影響后續制程,一般會再加人過刻蝕時間,兩方面的時間和才是氮化硅去除時間。過刻蝕時間的確定需要設計幾個時間遞增的實驗點,包括氮化硅少量殘留、沒有殘留、過刻蝕,最終取“過刻蝕”的時間作為制程時間,有時殘留物確認還需要光學顯微鏡(OM)和掃描電鏡(SEM)的幫助。