無標記方法

   這里討論的方法直接利用檢測雜交帶來阻抗相關變化的基本思想已得到許多研究團隊的研究,這些研究團隊還發表了用于此目的有關的CMOS陣列芯片相關工作(例如本章參考文獻[鋁-笱]介紹)。基本思想如圖6.24所示c在許多情況下,包含一 圖6.24基于阻抗原理的DNA檢測原理圖個電容器并聯一個電阻(其阻值在理想的情況下無限大)的簡單的集總元件參數等效電路就足夠了。有關該方法研究的各種可行性報道表明雜交化將導致電容減少。電容或整個阻抗可以通過一個貴金屬電極和電解質之間的互相交叉電極進行測量,或者通過使用介質覆蓋的電極進行測量。

     LL4148

   而大量的相關設計技術和電路拓撲結構是已知的,這為我們描述電容和阻抗的極好的準確性提供了便利,這種方法的缺點是正確結果的獲得很大程度上取決于固定位置分子層的質量。如果這一層不足夠致密,例如,與功能完好的電極區域相比,如果它有幾個小孔,這些區域可能會提供一個顯著降低的電極阻抗。因此,這些小孔可能或多或少地分流整個良好區域部分電極的信號,從而降低了該方法的可靠性。