應用于衛星或空問飛行器等電子系統中的半導體器件,將會不可避免地受到空間輻射環境的影響。IC61LV12816-10T空問輻射環境主要來源有3個:①地磁場俘獲帶(也稱范・艾倫輻射帶(喃n Allcll Bc⒒)),主要由電子和質子組成;②太陽宇宙射線,主要由質子(90%~95%)和氦粒子組成;③銀河宇宙射線,主要由質子(85%)、氦粒子(1%)和高能重粒子(1%)組成。

   復雜的空問輻射環境將會對應用于航天電子系統中的半導體器傭產生輻射效應,從而引起半導體器件的性能退化甚至是功能失效,最終將嚴重影響航天器的可靠性及在軌壽命。太空輻射環境對半導體器件的輻射破壞主要有3種方式:0電離總劑量輻射效應(TotalIoni犭ng Dose,TID);②單粒子效應(Shglc Evcnt E⒒cts,sEEs);③位移損傷()splaccment Damagc,DD)c其中,質子主要產生總劑量電離損傷、單粒子效應和位移損傷,電子主要產生總劑量電離損傷,而高能粒子主要產生單粒子效應。另外,電離總劑量輻射效應和單粒子效應統稱為電離效應。

   半導體器件作為航天器的基本組成單位,其抗空間輻射能力的強弱在很大程度上訣定了在軌航天器的使用壽命和可靠性。因此,在惡劣的空間輻射環境下,為保證航天器的安全可靠性和確保飛行任務的順利實現,必須選用達到相應輻射等級的半導體器件。空間環境輻射試驗技術是在地面檢驗半導體器件抗空間輻射能力極其重要的手段,對于保證航天器的安全及可靠性具有極其重要的意義。