倒裝焊拉脫試驗是測量采用面鍵合結構進行連接的半導體芯片
發布時間:2019/5/23 21:00:30 訪問次數:2056
試驗的定義與理解
倒裝焊拉脫試驗是測量采用面鍵合結構進行連接的半導體芯片與基座之間的鍵合強度,GAL20V8B-15QPN 該試驗方法是評價面鍵合質量水平行之有效的方法之一。
試驗方法的內容
1,設備
本試驗所需的設備能測量兩倍于規定的最低極限應力值的設備來提供外加應力的校準測量和指示,其準確度為±5%或±2.45N(取最大值)。
2.程序
應按下列步驟進行試驗。應統計所有的芯片拉力,且應遵循規定的抽樣接收和附加的樣品制備,適用時由規定的LTPD確定待試驗芯片數日,而不是鍵合數。對于混合和多片器件應采用最少4個芯片;若器件不足4個芯片,應采用至少兩個最終器件的所有芯片。如果件采用了提高鍵合強度的密封劑、黏合劑或其他材料,應在采用這些材料之前進行所有的拉力試驗。
試驗的定義與理解
倒裝焊拉脫試驗是測量采用面鍵合結構進行連接的半導體芯片與基座之間的鍵合強度,GAL20V8B-15QPN 該試驗方法是評價面鍵合質量水平行之有效的方法之一。
試驗方法的內容
1,設備
本試驗所需的設備能測量兩倍于規定的最低極限應力值的設備來提供外加應力的校準測量和指示,其準確度為±5%或±2.45N(取最大值)。
2.程序
應按下列步驟進行試驗。應統計所有的芯片拉力,且應遵循規定的抽樣接收和附加的樣品制備,適用時由規定的LTPD確定待試驗芯片數日,而不是鍵合數。對于混合和多片器件應采用最少4個芯片;若器件不足4個芯片,應采用至少兩個最終器件的所有芯片。如果件采用了提高鍵合強度的密封劑、黏合劑或其他材料,應在采用這些材料之前進行所有的拉力試驗。