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MC74HCT04FL1 實現磁隔離的技術措施

發布時間:2020/1/2 22:44:06 訪問次數:1969

MC74HCT04FL1電場耦合Rm為磁路中兩點仍、3間的磁阻體不接地或接地不良,則由于Ci>Cj(電容量與兩極板間距成反比,與極板面積成正比)。這將導致加屏蔽體后,干擾變得更大,因而對于這一點應特別引起注意。

從上面的分析可以看出,電屏蔽的實質是在保證良好接地的條件下,將干擾源發生的電力線終止于由良導體制成的屏蔽噸體,從而切斷了干擾源與受感器之間的電力線交磁場屏蔽.

磁場屏蔽簡稱磁屏蔽,用于抑制磁場耦合實現磁隔離的技術措施,它包括低頻磁屏蔽和高頻磁屏蔽(例如對低電場屏蔽阻抗磁場源近區感應磁場的屏蔽)。

低頻磁場屏蔽,低頻(100 kHz以下)磁場屏蔽常用的屏蔽材料是高導磁率的鐵磁材料(如鐵、硅鋼片、坡莫合金等),其屏蔽原理是利用鐵磁材料的高導磁率對干擾磁場進行分路。由于磁力線是連續的閉合曲線,根據磁路歐姆定律有

m==RmΦm                   (10-4)

式中,仍m為磁路兩點間的磁位差(又叫磁壓降),單位為安(A),Φm為通過磁路的磁通量,單位是韋伯(Wb)

Φm=Bds (10-5)

Rm=ui (10-6)

若磁路載面s是均勻的,且場的分布也是均勻的,則式(10-6)可化簡為

Rn=h=u (10-7)

式中,ui為材料的導磁率,單位為亨/米(H/m),s為磁路的橫截面積(m2),J為磁路的長度(n1)。由式可見,若兩點間磁位差仍m一定時,磁阻Rn越小,磁通Φm越大;曲式可見,Rm與u成反比,因而磁屏蔽體選用高u鐵磁材料,由于其磁阻Rm很小,所以大部分磁通流過磁屏蔽體。

密繞螺管線圈,用鐵磁材料做的屏蔽罩加以屏蔽,線圈產生的磁場主要沿屏蔽罩通過,即磁場被限制在屏蔽層內,見圖,從而使線圈周圍的電路或元件不受線圈磁場的影響。同樣,外界磁場也將通過屏蔽罩壁而很少進入罩內,見圖,從而使外部磁場不致影響到屏蔽罩內的線圈。若鐵磁材料的磁導率〃越高,屏蔽罩越厚,則磁阻越小,磁屏蔽效果越好。但隨之使成本增高,體重增加。

深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/

MC74HCT04FL1電場耦合Rm為磁路中兩點仍、3間的磁阻體不接地或接地不良,則由于Ci>Cj(電容量與兩極板間距成反比,與極板面積成正比)。這將導致加屏蔽體后,干擾變得更大,因而對于這一點應特別引起注意。

從上面的分析可以看出,電屏蔽的實質是在保證良好接地的條件下,將干擾源發生的電力線終止于由良導體制成的屏蔽噸體,從而切斷了干擾源與受感器之間的電力線交磁場屏蔽.

磁場屏蔽簡稱磁屏蔽,用于抑制磁場耦合實現磁隔離的技術措施,它包括低頻磁屏蔽和高頻磁屏蔽(例如對低電場屏蔽阻抗磁場源近區感應磁場的屏蔽)。

低頻磁場屏蔽,低頻(100 kHz以下)磁場屏蔽常用的屏蔽材料是高導磁率的鐵磁材料(如鐵、硅鋼片、坡莫合金等),其屏蔽原理是利用鐵磁材料的高導磁率對干擾磁場進行分路。由于磁力線是連續的閉合曲線,根據磁路歐姆定律有

m==RmΦm                   (10-4)

式中,仍m為磁路兩點間的磁位差(又叫磁壓降),單位為安(A),Φm為通過磁路的磁通量,單位是韋伯(Wb)

Φm=Bds (10-5)

Rm=ui (10-6)

若磁路載面s是均勻的,且場的分布也是均勻的,則式(10-6)可化簡為

Rn=h=u (10-7)

式中,ui為材料的導磁率,單位為亨/米(H/m),s為磁路的橫截面積(m2),J為磁路的長度(n1)。由式可見,若兩點間磁位差仍m一定時,磁阻Rn越小,磁通Φm越大;曲式可見,Rm與u成反比,因而磁屏蔽體選用高u鐵磁材料,由于其磁阻Rm很小,所以大部分磁通流過磁屏蔽體。

密繞螺管線圈,用鐵磁材料做的屏蔽罩加以屏蔽,線圈產生的磁場主要沿屏蔽罩通過,即磁場被限制在屏蔽層內,見圖,從而使線圈周圍的電路或元件不受線圈磁場的影響。同樣,外界磁場也將通過屏蔽罩壁而很少進入罩內,見圖,從而使外部磁場不致影響到屏蔽罩內的線圈。若鐵磁材料的磁導率〃越高,屏蔽罩越厚,則磁阻越小,磁屏蔽效果越好。但隨之使成本增高,體重增加。

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