MAX3690ECJT定義u+與u-之差為回差電壓,記作Δ%。由式(8.2.3)和式(8.2.4)可求得式(8.2.5)表明,電路的回差電壓與對成正比,改變Ri、R2的比值即可調節回差電壓的大小。

工作波形及電壓傳輸特性,根據以上分析,可畫出電路的工作波形及電壓傳輸特性分別如圖8.2.3(a)、(b)、(c)所示。從圖8.2.3(a)可知,以v。端作為電路的輸出,電路為同相輸出施密特觸發器;如果以u作為輸出端,則電路為反相輸出施密特觸發器,它們的電壓傳輸特性曲線分別如圖8.2.3(b)、(c)所示。

脈沖波形的變換與產生,將DD=27m代人上式可得,選擇r1、R2值為保證反相器G2輸出高電平時的負載電流不超過最大允許值fH(m ax),應集成施密特觸發器.

集成施密特觸發器性能穩定,應用十分廣泛,無論是CMOs還是TTL電路,都有單片的集成施密特觸發器產品。現以CMOs集成施密特觸發器CC40106為例介紹其工作原理。圖8.2.4(a)、(b)所示分別為CC40106的電路圖和邏輯符號。集成施密特觸發器CC40106的內部電路由施密特電路、整形電路和輸出電路三部分組成,其核心部分是施密特電路。圖8.2.4(a)中TP7、TN和T、TN10組成兩個首尾相連的反相器組成整形級,在吒上升和下降過程中,利用兩級反相器的正反饋作用,可使輸出波形的上升沿和下降沿陡直。輸出級為TP11和TN12組成的反相器,它不僅能起到與負載隔離的作用,而且也可提高電路的帶負載能力。

例8,2.1 在圖8.2.2所示的電路中,電源電壓yDD=10Ⅴ,G1、G2選用CC4069反相器,其負載電流最大允許值r0H(max)=1.3 mA.門的閾值電壓,yTH≈yDD=5v,且u=0.5。

求圖8.2.2所示施密特觸發器電路的u+、y1・和Δ yT。

試選擇r1、R2值。解:(1)求u+、u和ΔyT由式(8.2.3)、式(8,2.4)和式(8,2,5)可求出CMOs集成施密特觸發器電路(a)電路圖 (b)邏輯符號,TN4施密特電路,下面著重討論施密特電路的工作原理。施密特電路由P溝道MOS管TP1~TP3、N溝道MOs管TN4~TN6組成,設P溝道MOs管的開啟電壓為7TP,N溝道MOS管開啟電壓為uN。

電路的輸入信號vl為三角波。當vI=0時,TP1、TP2導通,TM、TN5截止,電路中吒為高電平(ud≈yDD),TP3截止,TN6導通,電路為源極跟隨器。TN5的源極電位v s5≈yDD~7DsN6,該電位較高t0=yoHv1電位逐漸升高,當vl)%N時,TN4導通,由于TN5的源極電壓″s5較大,即使oI>yDD,TN5仍截止。v1繼續升高,直至TP1、TP2的柵源電壓減小,使Tpl、TP2趨于截止,其內阻增大并使噸和v s5開始下降。當vI T vs5≥%N時,TN5才開始導通,并引起如下正反饋過程:

于是,T人5迅速導通,噸隨之也急劇下降,致使TP3很快導通,并帶動v s2下降,T截止,v0≈0。VI的繼續升高,最終使TPl也完全截止,輸出電壓v。從高電平跳變為低電平vo=y0L0在7DD>>%N+|%p|的條件下,電路的正向閾值電壓uh+遠大于了7DD。

同理,在逐漸下降的過程中,在|vI-z s2|)|yrP|時,與″1上升過程類似,電路也會出現一個急劇變化的工作過程,使電路轉換為v。為高電平,yH的狀態。在鈔I下降過程中的負向閾值電壓yT~也遠低于.

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