IRF740AS超高頻和微波波段時，電子標簽和讀寫器之間的通信采用反向散射工作方式。連接電子標簽和讀寫器之間的橋梁不再是近磁場而是電磁波。被動型電子標簽處于讀寫器的電磁波遠場中。根據頻帶的波長和天線的口徑可以計算出該頻帶頻識別系統的遠場和讀寫器之間的距離。一般來說，被動性標簽在超高頻范圍內的丁作距離可達10米左有，根據現有資料來看。微波波段（主要指2.45GHz）的被動標簽工作距離僅為1米左右。所以目前采用反向散射下作模式的射頻識別系統主要使用位于860～960MHz的超高頻頻段。

參考長度的諧振單元構造的標簽，這個標簽的初始ID可表示為‘V-10 10 10 10+H-10 10 10 10’。對應的仿真結果，兩個極化方向上的平面波在每個諧振單元對應的頻點上，產生了相互重疊的回波信號。該結果將被用于驗證下述的5個標簽的仿真結果。

4個H-pol的諧振單元長度不變，4個V-pol的諧振單元長度減小，此時4個V-pol的諧振單元對應的編碼由‘10’變為‘11’。因此，此時標簽的ID可表示為‘V-11 11 11 11+H-10 10 10 10’。對應的仿真結果，與實線表示的H-pol的曲線相比，虛線表示的V-pol的諧振頻點，向右發生了頻移。

由被動型標簽天線組成的射頻識別系統中，標簽需要從瀆寫器產生的電磁場或者電磁波中獲取能量激活標簽芯片。在電子標簽中有一部分電路專門用于檢測標簽天線上的感生電動勢或者感應電壓，并通過二極管電路進行整流并經過其他電路進行電壓放大等等。這些電路被集成存標簽芯片內部。當芯片進行封裝時通常還會引入一部分分布式電容。天線設計本身并不需要知道芯片中的具體電路而只需要掌握芯片和經過封裝之后的芯片阻抗，并利用最大能量傳遞的法則設計天線的輸入阻抗。

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