Bridgetek的最新一代嵌入式視頻引擎（EVE）圖形控制器獲得了高度認可。

依靠最近發布的EVE芯片BT817，領先的光電制造商Riverdi推出了一個新的顯示器系列。這些工業級顯示器的目標是具有挑戰性的高端應用，但定位于與商業級產品等同的具有吸引力的價位。

由于BT817芯片的高精度特性，新的Riverdi顯示器能夠支持到1280x800的像素分辨率。

而將顯示的內容視為一系列對象的做法可以顯著減少所涉及的數據開銷。這樣就轉化為一個極為精簡的解決方案，大大減少了組件數量，加快了響應速度。

制造商:    Infineon    

產品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細信息  

技術:    Si    

安裝風格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TSDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    30 V    

Id-連續漏極電流:    49 A    

Rds On-漏源導通電阻:    6.5 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    2 V    

Qg-柵極電荷:    10 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    26 W    

通道模式:    Enhancement    

商標名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

長度:   3.3 mm  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   3.3 mm  

商標:   Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值:   34 S  

下降時間:   2.4 ns  

產品類型:   MOSFET  

上升時間:   3.4 ns  

工廠包裝數量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關閉延遲時間:   12 ns  

典型接通延遲時間:   2.5 ns  

零件號別名:  SP000799084 BSZ65N3LSXT BSZ065N03LSATMA1  

單位重量:  100 mg

UCC28810/11可控制反激,降壓或升壓轉換器.

它還集成了用來處理反饋誤差的跨導電壓放大器,用來產生正比于輸入電壓的電流基準發生器,電流檢測(PWM)比較器,PWM邏輯以及用來驅動外接FET的圖騰柱驅動器.

先進的單電源工藝能提供成本效率的性能，從而改善了低電壓功放應用中崎嶇不平的途徑。

HIIPA和E-模式工藝結合起來是要用來改善MMM5062的特性。這種模塊支持GSM850/900，DCS1800和PCS1900的四頻帶應用。它也為10類 GPRS工作而設計。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）