MOSFET源漏間等效的寄生電容上存儲的電荷的FAULT引腳
發布時間:2021/8/30 19:28:13 訪問次數:398
集成的功率MOSFET在12V電源通路中的RDS(ON)為1.9mΩ.器件具有可編程軟起動和延遲,可編輸入欠壓鎖住閾值(UVLO),可編程的電源良好閾值,以及用于輸出UVLO/輸入UVLO報告的PWRGD引腳,而用于故障報告的FAULT引腳.
輸入引腳的擴展范圍很容易和微控制器,DSP單元和霍爾傳感器接口.器件的工作溫度為-40C 到125C.帶滯后和下拉的3.3V到15V兼容的輸入.
制造商: Rectron
產品種類: 二極管 - 通用，功率，開關
RoHS: 詳細信息
產品: Switching Diodes
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOD-123-2
峰值反向電壓: 100 V
最大浪涌電流: 2 A
If - 正向電流: 300 mA
配置: Single
恢復時間: 4 ns
Vf - 正向電壓: 25 V
Ir - 反向電流 : 1 uA
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Reel
商標: Rectron
最大二極管電容: 2 pF
Pd-功率耗散: 400 mW
產品類型: Diodes - General Purpose, Power, Switching
工廠包裝數量: 10000
子類別: Diodes & Rectifiers
典型的LLC串聯諧振電路,感性負載下MOSFET的工作波形。由于感性負載下，電流相位上會超前電壓，因此保證了MOSFET運行的ZVS。
要保證MOSFET運行在感性區，諧振電感上的諧振電流必須足夠大，以確保MOSFET源漏間等效的寄生電容上存儲的電荷可以在死區時間內被完全釋放干凈。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
集成的功率MOSFET在12V電源通路中的RDS(ON)為1.9mΩ.器件具有可編程軟起動和延遲,可編輸入欠壓鎖住閾值(UVLO),可編程的電源良好閾值,以及用于輸出UVLO/輸入UVLO報告的PWRGD引腳,而用于故障報告的FAULT引腳.
輸入引腳的擴展范圍很容易和微控制器,DSP單元和霍爾傳感器接口.器件的工作溫度為-40C 到125C.帶滯后和下拉的3.3V到15V兼容的輸入.
制造商: Rectron
產品種類: 二極管 - 通用，功率，開關
RoHS: 詳細信息
產品: Switching Diodes
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOD-123-2
峰值反向電壓: 100 V
最大浪涌電流: 2 A
If - 正向電流: 300 mA
配置: Single
恢復時間: 4 ns
Vf - 正向電壓: 25 V
Ir - 反向電流 : 1 uA
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Reel
商標: Rectron
最大二極管電容: 2 pF
Pd-功率耗散: 400 mW
產品類型: Diodes - General Purpose, Power, Switching
工廠包裝數量: 10000
子類別: Diodes & Rectifiers
典型的LLC串聯諧振電路,感性負載下MOSFET的工作波形。由于感性負載下，電流相位上會超前電壓，因此保證了MOSFET運行的ZVS。
要保證MOSFET運行在感性區，諧振電感上的諧振電流必須足夠大，以確保MOSFET源漏間等效的寄生電容上存儲的電荷可以在死區時間內被完全釋放干凈。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
相關技術資料- 11-23模擬和混合信號平臺Treo詳情
- 11-23PXI和LXI模塊化解決方案解讀
- 11-23AN-13-0004_CAN收發器結構參數特點應用設計
- 11-23屏蔽柵槽溝技術 (SGT)主要特性及功能應用
- 11-23第一代SGT MOSFET系列技術結構參數封裝
- 11-23全球首顆GSE DPU芯片發布
- 11-22新一代5G-A模組RG650V-NA結構技術參數應用及需求分析
- 11-22電池儲能系統 (BESS)結構設計及解決方案
- 11-22全新高脈沖制動電阻系列參數技術應用設計
- 11-22Telcordia GR-468 CORE測試應用全
- 11-22DSP（數字信號處理器）系列介紹
- 11-22AI ISP的技術優勢和市場發展趨勢
公網安備44030402000607
