4字節突發讀寫操作總線速度高于其他非易失性存儲器
發布時間:2022/6/28 21:36:44 訪問次數:205
RDS(ON)僅為0.13Ω(N溝道低端FET)和0.15Ω(P溝道高端FET)的內部開關,提供高達95%的效率。它還運用低壓差100%占空比工作,以允許輸出電壓等于VIN,從而進一步延長電池工作時間。LTC3565以自動低紋波(<25mVPK-PK)突發模式(Burst Mode)工作,提供僅為40uA的無負載靜態電流。
如果是噪聲敏感的應用,那么可以不使用突發模式,而采用更低噪聲的脈沖跳躍模式,這仍然能提供僅為330uA的靜態電流。LTC3565在整個頻率范圍內都可以同步至外部時鐘。其它特點包括±2%的輸出電壓準確度和過熱保護。
除了電氣火災、靜電、雷電、電磁等安全隱患外,電工的T∶作環境中還容易出現各類突發事件。
因此,電T在進行作業時,盡量避免離開下作人員的視線,同時懸掛標示牌或者裝設遮攔以做到提示的作用,如懸掛“禁止合閘”的標示牌,表示電工作業中,禁止對電氣設備合閘接通電流i電氣設備一般不能受潮,如果必須要在潮濕或下雨的天氣下進行作業,電工需對電氣設備進行防雨水和防潮措施而電氣設各工作時會發熱,也容易產生工作環境中的安全隱患,需要有良好的通風散熱的條件。
為排除下作環境中的安全隱患,所有電氣設備的金屬外殼應有可靠的保護接地措施,避免電工在工作環境中觸電事故的發生。
4M FRAM是標準異步SRAM的直接取代品,但性能遠超過SRAM,無需電池即可備份數據,由于其整體結構可靠性更高。FM22LD16是真正的表面貼裝解決方案,無需返工步驟來貼附電池,且與帶備用電池的SRAM不同,FM22LD16為高度防潮、抗振動和震動器件。
FM22LD16具有與目前高效能微處理器連接的方便接口,具有高速頁模式,可在40MHz頻率下實現4字節突發讀寫操作,總線速度明顯高于其他非易失性存儲器。
FM22LD16與相同密度的非易失性存儲器相比,工作電流較低,讀寫操作時工作電流為8毫安,待機電流為90微安。FM22LD16工作電壓為2.7至3.6V,可在-40°C至+85°C的工業溫度范圍工作。
RDS(ON)僅為0.13Ω(N溝道低端FET)和0.15Ω(P溝道高端FET)的內部開關,提供高達95%的效率。它還運用低壓差100%占空比工作,以允許輸出電壓等于VIN,從而進一步延長電池工作時間。LTC3565以自動低紋波(<25mVPK-PK)突發模式(Burst Mode)工作,提供僅為40uA的無負載靜態電流。
如果是噪聲敏感的應用,那么可以不使用突發模式,而采用更低噪聲的脈沖跳躍模式,這仍然能提供僅為330uA的靜態電流。LTC3565在整個頻率范圍內都可以同步至外部時鐘。其它特點包括±2%的輸出電壓準確度和過熱保護。
除了電氣火災、靜電、雷電、電磁等安全隱患外,電工的T∶作環境中還容易出現各類突發事件。
因此,電T在進行作業時,盡量避免離開下作人員的視線,同時懸掛標示牌或者裝設遮攔以做到提示的作用,如懸掛“禁止合閘”的標示牌,表示電工作業中,禁止對電氣設備合閘接通電流i電氣設備一般不能受潮,如果必須要在潮濕或下雨的天氣下進行作業,電工需對電氣設備進行防雨水和防潮措施而電氣設各工作時會發熱,也容易產生工作環境中的安全隱患,需要有良好的通風散熱的條件。
為排除下作環境中的安全隱患,所有電氣設備的金屬外殼應有可靠的保護接地措施,避免電工在工作環境中觸電事故的發生。
4M FRAM是標準異步SRAM的直接取代品,但性能遠超過SRAM,無需電池即可備份數據,由于其整體結構可靠性更高。FM22LD16是真正的表面貼裝解決方案,無需返工步驟來貼附電池,且與帶備用電池的SRAM不同,FM22LD16為高度防潮、抗振動和震動器件。
FM22LD16具有與目前高效能微處理器連接的方便接口,具有高速頁模式,可在40MHz頻率下實現4字節突發讀寫操作,總線速度明顯高于其他非易失性存儲器。
FM22LD16與相同密度的非易失性存儲器相比,工作電流較低,讀寫操作時工作電流為8毫安,待機電流為90微安。FM22LD16工作電壓為2.7至3.6V,可在-40°C至+85°C的工業溫度范圍工作。