光敏電阻器的檢測方法，光敏電阻器一般沒有任何標識,實際檢測時,可根據設計應用中所在電路的圖紙資料了解標稱阻值,直接根據光照變化時阻值的變化情況判斷性能好壞。

電路中待測濕敏電阻器,在正常狀態下,濕敏電阻器的高阻抗使電路處于待機狀態,此時V1截止,V2導通。

當嬰幼兒尿床時,濕敏電阻器感知濕度的變化,電阻值變小,使vl導通、V2截止,電源經R3為C1充電,并使c1的電壓升高,當高到Va基極和發射極處于正偏壓的情況時,V3導通,V3、V4組成的振蕩電路起振,揚聲器報警,為濕敏電阻器的檢測方法。

在130/90/65nm乃至45nm的世代,對傳統熱氧化生成的氧化硅進行氮化,生成氮氧化硅是提高乃值的一種有效方法。而且氮氧化硅在提高材料乃值和降低柵極漏電的同時,還可以阻擋來自多晶硅柵內硼對器件的不利影響,工藝的整合也相對簡單。

到繡/32nm以后,即使采用氮氧化硅也無法滿足器件對漏電的要求,高乃介質的引人已經成為必然。

不同類型氣敏電阻器可檢測的氣體類別不同。檢測時,應根據氣敏電阻器的具體功能改變其周圍可測氣體的濃度,同時用萬用表檢測氣敏電阻器,根據數據變化的情況判斷好壞。

氣敏電阻器正常工作需要一定的工作環境,判斷氣敏電阻器的好壞需要將其置于電路環境中,滿足其對氣體的檢測條件后再檢測。

檢測可調電阻器的阻值之前,應首先區分待測可調電阻器的引腳,為可調電阻器的檢測提供參照標準,為識別待測可調電阻器的引腳功能。

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