頻率可配置的時鐘芯片Si5317，該芯片主要應用于網絡和電信系統領域，這類應用系統必須針對沒有頻率倍頻的時鐘信號進行抖動衰減。

Si5317管腳控制抖動衰減芯片廣泛應用于需要濾除有害噪聲并產生低抖動時鐘信號輸出的應用中。

高速應用中的頻率抖動管理特別困難，這是因為噪聲會導致整體系統的性能下降，并影響設計的誤碼率(BER)及信噪比(SNR)，針對這些強調性能的應用，Si5317頻率抖動衰減IC提供一種簡單、彈性且具成本效益的抖動濾除解決方案。

在45nm制程節點開始啟用Gate-last工藝來制作HKMG晶體管，而臺積電也將在28nm制程節點開始啟用這種工藝。

Hoffmann認為Gate-last工藝具有許多優勢，比如PMOS管的門限電壓更為穩定，而且這種工藝將原來填充在柵極區的多晶硅替換為金屬材料時，還可以為PMOS管的溝道施加一定的應變力。

靜電放電保護芯片,新產品比4路競爭產品增加一路保護通道，而封裝尺寸相同，為功能豐富而空間有限的便攜設備（如智能手機和上網本）設計人員提供空間利用率出色的解決方案。

還提供一款低電容型5路ESD保護芯片ESDALC6V1-5T6，可保護高速數據線，如手機的SIM卡、照相機或顯示器接口。

三極管基極(b)電流最小,且遠小于另兩個引腳的電流;發射極(e)電流最大(等于集電極電流和基極電流之和);集電極(c)電流與基極(b)電流之比即為三極管的放大倍數。

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