IR推出溝道型HEXFET功率MOSFET系列
發布時間:2008/11/5 0:00:00 訪問次數:420
國際整流器公司 (international rectifier，簡稱ir) 宣布推出具有基準低通態電阻 (rds (on)) 的溝道型hexfet功率mosfet系列。這些采用to-247封裝的mosfet適用于同步整流、動態oring及包括高功率dc馬達、dc-ac轉換器及電動工具等工業應用。
新mosfet的通態電阻 (rds (on)) 能效比同類產品高出達50%，無需工業應用中通常使用的大型及昂貴封裝，有助于節省總系統成本。此外，低rds (on) 可降低導通損耗，并提升系統效率。
ir亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“這個系列的卓越rds (on) 額定值，可讓設計人員避免使用大電流工業應用中，往往因散熱需要的大而昂貴的isotop或小型bloc封裝，使系統成本降低50%。”
全新n溝道mosfet系列可提供40v至200v電壓，也符合工業級及msl1要求。新mosfet均不含鉛并符合電子產品有害物質限制 (rohs) 指令。
歡迎轉載,信息來自維庫電子市場網（www.dzsc.com）
國際整流器公司 (international rectifier，簡稱ir) 宣布推出具有基準低通態電阻 (rds (on)) 的溝道型hexfet功率mosfet系列。這些采用to-247封裝的mosfet適用于同步整流、動態oring及包括高功率dc馬達、dc-ac轉換器及電動工具等工業應用。
新mosfet的通態電阻 (rds (on)) 能效比同類產品高出達50%，無需工業應用中通常使用的大型及昂貴封裝，有助于節省總系統成本。此外，低rds (on) 可降低導通損耗，并提升系統效率。
ir亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“這個系列的卓越rds (on) 額定值，可讓設計人員避免使用大電流工業應用中，往往因散熱需要的大而昂貴的isotop或小型bloc封裝，使系統成本降低50%。”
全新n溝道mosfet系列可提供40v至200v電壓，也符合工業級及msl1要求。新mosfet均不含鉛并符合電子產品有害物質限制 (rohs) 指令。
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