khan等人[25]在1992年報道了第一支高質量gan材料光電導探測器，它以藍寶石為襯底通過金屬有機化學氣相淀積（mocvd）方法生長而成。光響應波長為200～365 nm，在365nm處最高增益達6×103。在5 v的偏壓下響應度最高可達2000 a/w。隨后，由于51材料成熟的工藝技術且易于集成等優點，人們試圖將gan材料生長在si襯底上以利于和電子器件的集成。stevens等人⒓刨在51襯底上生長p型gan薄膜，但光響應度較低，在14v偏壓下最高響應度只有30 a/w。由于si和gan之間大的晶格失配（17%）和熱失配（20%），若直接在51襯底上生長gan則會由于晶格失配位錯等原因嚴重影響器件性能。為了解決這一問 題，人們使用緩沖層，如圖1所示。在s1（111）方向上先用mocvd方法生長ain緩沖層，然后在ain緩沖層上生長gan，最后用真空淀積的方法淀積金屬制作歐姆接觸。此外，還可以在6h-sic襯底上生長gan獲得較高響應度的光電導型探測器。

　　圖1 采用si襯底利用ain做緩沖層的光導型探測器

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