單片集成電路
發布時間:2012/4/21 19:23:27 訪問次數:1721
集成電路按工藝材料分為STK1261單片集成電路和混合集成電路。單片集成電路又稱半導體集成電路，是在硅平面技術的基礎上發展起來的。利用氧化、擴散、注入、外延、光刻、蒸發等一整套平面技術，將電路中的所有電子元器件做在一塊半導體基片上，用特殊的結構使電子元器件在電性能上相互隔離，電子元器件之間必要的連接是用蒸發或濺射鋁層或其他導電金屬層，并用光刻法刻蝕所需要的金屬條（或其他材料，如多晶硅）來實現。半導體材料一般用硅(Si)，在某些應用領域，如高頻領域，有的采用砷化鎵(GaAs)材料。
雙極型集成電路
雙極型集成電路采用雙極晶體管作為有源器件。雙極晶體管的工作依賴于兩種極性的載流子（電子和空穴）。在雙極型IC中，雙極型晶體管和二極管的制法與硅平面型半導體器件相同；電阻是利用具有一定寬長比的摻雜區或金屬層或多晶硅薄膜構成；電容是利用半導體器件中的PN結電容，或者利用二氧化硅層作為絕緣層，兩側被覆導體層或導體層和多晶硅這樣一種結構而構成。雙極型集成電路中的晶體管分為NPN管和PNP管。在某些電路中采用多發射極NPN管，超B晶體管、可控增益PNP管、復合晶體管，以及結型場效應晶體管(JFET)。
雙極型集成電路
雙極型集成電路采用雙極晶體管作為有源器件。雙極晶體管的工作依賴于兩種極性的載流子（電子和空穴）。在雙極型IC中，雙極型晶體管和二極管的制法與硅平面型半導體器件相同；電阻是利用具有一定寬長比的摻雜區或金屬層或多晶硅薄膜構成；電容是利用半導體器件中的PN結電容，或者利用二氧化硅層作為絕緣層，兩側被覆導體層或導體層和多晶硅這樣一種結構而構成。雙極型集成電路中的晶體管分為NPN管和PNP管。在某些電路中采用多發射極NPN管，超B晶體管、可控增益PNP管、復合晶體管，以及結型場效應晶體管(JFET)。
集成電路按工藝材料分為STK1261單片集成電路和混合集成電路。單片集成電路又稱半導體集成電路，是在硅平面技術的基礎上發展起來的。利用氧化、擴散、注入、外延、光刻、蒸發等一整套平面技術，將電路中的所有電子元器件做在一塊半導體基片上，用特殊的結構使電子元器件在電性能上相互隔離，電子元器件之間必要的連接是用蒸發或濺射鋁層或其他導電金屬層，并用光刻法刻蝕所需要的金屬條（或其他材料，如多晶硅）來實現。半導體材料一般用硅(Si)，在某些應用領域，如高頻領域，有的采用砷化鎵(GaAs)材料。
雙極型集成電路
雙極型集成電路采用雙極晶體管作為有源器件。雙極晶體管的工作依賴于兩種極性的載流子（電子和空穴）。在雙極型IC中，雙極型晶體管和二極管的制法與硅平面型半導體器件相同；電阻是利用具有一定寬長比的摻雜區或金屬層或多晶硅薄膜構成；電容是利用半導體器件中的PN結電容，或者利用二氧化硅層作為絕緣層，兩側被覆導體層或導體層和多晶硅這樣一種結構而構成。雙極型集成電路中的晶體管分為NPN管和PNP管。在某些電路中采用多發射極NPN管，超B晶體管、可控增益PNP管、復合晶體管，以及結型場效應晶體管(JFET)。
雙極型集成電路
雙極型集成電路采用雙極晶體管作為有源器件。雙極晶體管的工作依賴于兩種極性的載流子（電子和空穴）。在雙極型IC中，雙極型晶體管和二極管的制法與硅平面型半導體器件相同；電阻是利用具有一定寬長比的摻雜區或金屬層或多晶硅薄膜構成；電容是利用半導體器件中的PN結電容，或者利用二氧化硅層作為絕緣層，兩側被覆導體層或導體層和多晶硅這樣一種結構而構成。雙極型集成電路中的晶體管分為NPN管和PNP管。在某些電路中采用多發射極NPN管，超B晶體管、可控增益PNP管、復合晶體管，以及結型場效應晶體管(JFET)。
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