前面看到的FET的源極LM2596T-3.3地放大電路是不是與雙極晶體管的發射極放大電路完全相同？
    實際上幾乎是完全相同的，只有一點差別，這就是雙極晶體管的基極一發射極間電壓V BE與FET的柵極一源極間電壓VGS在電壓、極性上有差別。
    這一點對于FET電路是非常重要的。只有搞清楚V GS究竟有多大，才能夠方便地像使用雙極晶體管那樣使用FET。
    下面將結合FET的工作原理，說明這個VGS的大小。
    雙極晶體管只有NPN和PNP兩種類型，FET的分類則稍微復雜。
    如圖2.6所示，FET按照結構可以分為結型FET(JFET：Junction FET)和絕緣柵FET(MOSFET:Metal Oxide Semiconductor FET)。

             
    按照電學特性，MOSFET又可以分為耗盡型(depletion)與增強型(enhance-ment)兩類。它們又可以進一步分為N溝型（與雙極晶體管的NPN型相當）和P溝型（與雙極晶體管的PNP型相當）。
    從實際FET的型號中完全看不出JFET與MOSFET、耗盡型與增強型的區別。儀僅是N溝器件為2SK×××（也有雙柵的3SK×××），P溝器件為2SJ××X，以區別N溝和P溝器件。