JFET模擬開關的設計
發布時間:2012/8/24 20:38:58 訪問次數:3460
下面具體設計圖13.6的電路。這個電CD4028BCN路的設計指標如下:模擬開關電路的設計指標
這個電路是用CMOS邏輯電路(4000B系列或者74HC,74AC系列)輸出的OV/+5V信號對2VP-P的模擬信號進行開關的電路。
所謂導通電阻RON是指開關接通時輸入輸出間的電阻值,理想值是0Q。機械開關中RON≈0Q(m\Q數量級),模擬開關器件是以半導體為開關器件串聯接入的,所以不是0\Q。一般來說,JFET開關器件的導通電阻為數歐至數百歐,使用MOS-FET時可以降低到0.OIQ至數歐。
開關用FET的選擇
開關器件可以使用JFET也可以使用MOSFET,N溝、P溝器件都可以。不過這里考慮到容易獲得以及價格因素,選擇N溝JFET 2SK330(東芝)。
關于2SK330的電學特性請參看表3.2。
目前還無法確定電源電壓和電路結構。不過從設計指標酌輸入信號和控制信號電平等來考慮,選擇柵極一源極間最大額定值VGDS一- 50V的2SK330在耐壓方面是足夠了(當然在確定電路的電源電壓時應該在不超過V GDS的范圍)。
使用FET模擬開關時的導通電阻是器件跨導g。。的倒數(注意:gm的單位是Q的倒數S)。由表3.2可知,2SK330的gm等于正向傳輸導納I yf。l,最小為1.5ms。
因此在使用gm一1.5ms的器件的場合,這個電路的導通電阻RON約為670Q(約Ims/l.5ms)。能夠滿足設計指標中RON <lkQ的要求。如果希望RON更小些,就要選擇g。更大的器件。一般來說MOSFET的gm要比JFET大,所以使用MOSFET可以作出RON小的模擬開關。在JFET的場合,由于IDSS愈大g。.也就愈大,所以即使同樣的器件,也應該選用IDSS大的檔次。
下面具體設計圖13.6的電路。這個電CD4028BCN路的設計指標如下:模擬開關電路的設計指標
這個電路是用CMOS邏輯電路(4000B系列或者74HC,74AC系列)輸出的OV/+5V信號對2VP-P的模擬信號進行開關的電路。
所謂導通電阻RON是指開關接通時輸入輸出間的電阻值,理想值是0Q。機械開關中RON≈0Q(m\Q數量級),模擬開關器件是以半導體為開關器件串聯接入的,所以不是0\Q。一般來說,JFET開關器件的導通電阻為數歐至數百歐,使用MOS-FET時可以降低到0.OIQ至數歐。
開關用FET的選擇
開關器件可以使用JFET也可以使用MOSFET,N溝、P溝器件都可以。不過這里考慮到容易獲得以及價格因素,選擇N溝JFET 2SK330(東芝)。
關于2SK330的電學特性請參看表3.2。
目前還無法確定電源電壓和電路結構。不過從設計指標酌輸入信號和控制信號電平等來考慮,選擇柵極一源極間最大額定值VGDS一- 50V的2SK330在耐壓方面是足夠了(當然在確定電路的電源電壓時應該在不超過V GDS的范圍)。
使用FET模擬開關時的導通電阻是器件跨導g。。的倒數(注意:gm的單位是Q的倒數S)。由表3.2可知,2SK330的gm等于正向傳輸導納I yf。l,最小為1.5ms。
因此在使用gm一1.5ms的器件的場合,這個電路的導通電阻RON約為670Q(約Ims/l.5ms)。能夠滿足設計指標中RON <lkQ的要求。如果希望RON更小些,就要選擇g。更大的器件。一般來說MOSFET的gm要比JFET大,所以使用MOSFET可以作出RON小的模擬開關。在JFET的場合,由于IDSS愈大g。.也就愈大,所以即使同樣的器件,也應該選用IDSS大的檔次。
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