輻射源周圍的空間可以分成兩個區域
發布時間:2014/4/13 16:27:03 訪問次數:834
一個場的特性取決于揚源(天線)、LM311P場源周圍的媒質以及場源與觀測點之間的距離。在接近場源的觀測點,場的性質主要取決于場源的特點。在遠離場源的觀測點,該場的性能主要取決于傳播場的媒質。因此,一個輻射源周圍的空間區域可以分成如圖6-3所示的兩個區域。接近場源的區域是近場或者感應場,在距離大于Al27c(約六分之一波長)的是遠場或者輻射場,A/2丁c附近的區域是近、遠場的過渡區域。
圖6-3輻射源周圍的空間可以分成兩個區域,近場和遠場。從近場到遠場的過渡在距離A/27c處
電場E與磁場H的比值是波阻抗。在遠場,這個比值等于傳輸媒質的特性阻抗(例如,在空氣或自由空間中,El H=Zo =3770)。在近場,這個比值是由場源的特點以及從場源到實際觀測點的距離決定。如果場源具有大電流和低電壓(E/H <377Q),則近場主要為磁場。相反,如果場源具有小電流和高電壓(E/H >37701),則近場主要為電場。
對于桿狀或直線天線來說,源的阻抗很高。天線附近的波阻抗主要是電場,電場強度很高。隨著距離的增加,電場強度會衰減,隨之產生一個互補的磁場。在近場,電場以(l/r)3的速率衰減,而磁場以速率(l/r)Z的速率衰減。因此,直線天線的波阻抗隨著距離的增加而減少,逐漸接近遠場自由空間的阻抗,如圖6-4所示。
圖6-4 波阻抗取決于距源的距離
對于以磁場為主的情況,例如由環形天線產生的場,天線附近的波阻抗較低。隨著距離的不斷增大,磁場以(l/r)3的速率衰減,而電場以(l/r)2的速率衰減。因此,波阻抗陋距離不斷增大,在A/2兀的距離時接近自由空間的波阻抗。在遠場,電場和磁場均以1/r的速率衰減。
一個場的特性取決于揚源(天線)、LM311P場源周圍的媒質以及場源與觀測點之間的距離。在接近場源的觀測點,場的性質主要取決于場源的特點。在遠離場源的觀測點,該場的性能主要取決于傳播場的媒質。因此,一個輻射源周圍的空間區域可以分成如圖6-3所示的兩個區域。接近場源的區域是近場或者感應場,在距離大于Al27c(約六分之一波長)的是遠場或者輻射場,A/2丁c附近的區域是近、遠場的過渡區域。
圖6-3輻射源周圍的空間可以分成兩個區域,近場和遠場。從近場到遠場的過渡在距離A/27c處
電場E與磁場H的比值是波阻抗。在遠場,這個比值等于傳輸媒質的特性阻抗(例如,在空氣或自由空間中,El H=Zo =3770)。在近場,這個比值是由場源的特點以及從場源到實際觀測點的距離決定。如果場源具有大電流和低電壓(E/H <377Q),則近場主要為磁場。相反,如果場源具有小電流和高電壓(E/H >37701),則近場主要為電場。
對于桿狀或直線天線來說,源的阻抗很高。天線附近的波阻抗主要是電場,電場強度很高。隨著距離的增加,電場強度會衰減,隨之產生一個互補的磁場。在近場,電場以(l/r)3的速率衰減,而磁場以速率(l/r)Z的速率衰減。因此,直線天線的波阻抗隨著距離的增加而減少,逐漸接近遠場自由空間的阻抗,如圖6-4所示。
圖6-4 波阻抗取決于距源的距離
對于以磁場為主的情況,例如由環形天線產生的場,天線附近的波阻抗較低。隨著距離的不斷增大,磁場以(l/r)3的速率衰減,而電場以(l/r)2的速率衰減。因此,波阻抗陋距離不斷增大,在A/2兀的距離時接近自由空間的波阻抗。在遠場,電場和磁場均以1/r的速率衰減。