描述：STD86N3LH5

該器件是一個N溝道功率MOSFET
使用意法半導體的STripFET™開發
H5技術。 該設備已優化為
實現非常低的導通電阻，有助于
成為同類中最好的FoM。


特征：STD86N3LH5
•專為汽車應用和
符合AEC-Q101
•低導通電阻RDS（on）
•高雪崩強度

•低柵極驅動功率損耗

應用：STD86N3LH5

•切換應用

STD86N3LH5

制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 80 A
Rds On-漏源導通電阻: 5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 22 V, + 22 V
Qg-柵極電荷: 14 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 70 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 2.4 mm
長度: 6.6 mm
系列: STD86N3LH5
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 6.2 mm
商標: STMicroelectronics
下降時間: 10.8 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 14 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 23.6 ns
典型接通延遲時間: 6 ns
單位重量: 4 g