描述：STD25NF20

此N通道增強模式電源
MOSFET受益于最新的
意法半導體獨特的“單一特征尺寸”
基于剝離的過程，減少了關鍵
調整步驟以提供卓越的性能
制造可重復性。 結果是
封裝密度極高的晶體管
低導通電阻，堅固的雪崩
特性和低柵極電荷。


特征：STD25NF20
•專為汽車應用和
符合AEC-Q101
•極低的柵極電荷
•出色的dv / dt功能
•低柵極輸入電阻

•經過100％雪崩測試

應用領域：STD25NF20

•切換應用

STD25NF20

制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續漏極電流: 18 A
Rds On-漏源導通電阻: 125 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 28 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 110 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標名: STripFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
系列: STD25NF20
晶體管類型: 1 N-Channel Power MOSFET
商標: STMicroelectronics
下降時間: 10 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 30 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 40 ns
典型接通延遲時間: 15 ns
單位重量: 4 g