描述：STD10PF06T4

該功率MOSFET是
STMicroelectronis基于條帶的獨特“單一特征尺寸™”工藝。 產生的晶體管顯示出極高的
高包裝密度，低導通電阻，堅固耐用
雪崩特性和不太關鍵的對準
因此邁出了卓越的一步

重現性。

應用領域：STD10PF06T4
■電機控制
■DC-DC和DC-AC轉換器


特點：STD10PF06T4
■典型RDS（on）= 0.18Ω
■出色的dv / dt功能
■100％雪崩測試
■低門收費
■面向應用
表征
■貫穿孔IPAK（TO-251）電源
管道包裝（后綴“ -1”）
■表面安裝DPAK（TO-252）
膠帶和卷盤中的電源包裝

（后綴“ T4”）

STD10PF06T4

制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 10 A
Rds On-漏源導通電阻: 180 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 40 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
高度: 2.4 mm
長度: 6.6 mm
系列: STD10PF06
晶體管類型: 1 P-Channel
類型: MOSFET
寬度: 6.2 mm
商標: STMicroelectronics
正向跨導 - 最小值: 5 S
下降時間: 10 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 40 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 40 ns
典型接通延遲時間: 20 ns
單位重量: 4 g