描述：STD35NF06T4

該功率MOSFET是
意法半導體獨特的“單一功能”
Size™“帶狀工藝。結果
晶體管表現出極高的堆積密度
低導通，堅固的雪崩
特性和不太關鍵的對齊步驟
因此，卓越的制造

重現性。

應用領域：STD35NF06T4
■切換應用


一般特征：STD35NF06T4
■出色的dv / dt功能
■面向應用程序的表征

■經過100％雪崩測試

STD35NF06T4

制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 35 A
Rds On-漏源導通電阻: 18 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Qg-柵極電荷: 60 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 55 W
通道模式: Enhancement
商標名: STripFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 2.4 mm
長度: 6.6 mm
系列: STD35NF06
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
寬度: 6.2 mm
商標: STMicroelectronics
正向跨導 - 最小值: 13 S
下降時間: 15 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 8 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 36 ns
典型接通延遲時間: 16 ns
單位重量: 4 g