描述：STD25NF10T4
此功率MOSFET系列是使用意法半導體的獨特產品開發的STripFET™工藝，專門設計用于最小化輸入電容
和門控費。 這使得該設備適合用作主開關
適用于電信和計算機的高級高效隔離式DC-DC轉換器
應用，以及具有低柵極電荷驅動要求的應用。
特征：STD25NF10T4
類型VDS RDS（on）max。 ID
STD25NF10T4 100 V 38兆歐25 A
•出色的dv / dt功能
•經過100％雪崩測試
•低柵極電荷
•切換應用
制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 25 A
Rds On-漏源導通電阻: 33 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Qg-柵極電荷: 55 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 100 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 2.4 mm
長度: 6.6 mm
系列: STD25NF10
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
寬度: 6.2 mm
商標: STMicroelectronics
正向跨導 - 最小值: 20 S
下降時間: 15 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 60 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 60 ns
典型接通延遲時間: 17 ns
單位重量: 4 g
