描述：STD7NM80

這些器件是使用第二種器件開發的N溝道功率MOSFET。
一代MDmesh™技術。 這些革命性的功率MOSFET
將垂直結構與公司的鋼帶布局相關聯，以產生世界上最大的鋼結構之一
最低的導通電阻和柵極電荷。 因此，它們最適合
要求高效率的轉換器。


特征：STD7NM80
訂貨代碼VDS RDS（on）max。 ID
STD7NM80
800 V 1.05歐姆6.5 A
STD7NM80-1
STF7NM80
STP7NM80
•經過100％雪崩測試
•低輸入電容和柵極電荷

•低柵極輸入電阻

應用領域：STD7NM80

•切換應用

STD7NM80

制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V
Id-連續漏極電流: 6.5 A
Rds On-漏源導通電阻: 1.05 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 18 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 90 W
通道模式: Enhancement
商標名: MDmesh
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 2.4 mm
長度: 6.6 mm
系列: STD7NM80
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 6.2 mm
商標: STMicroelectronics
正向跨導 - 最小值: 4 S
下降時間: 10 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 8 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 35 ns
典型接通延遲時間: 20 ns
單位重量: 4 g