描述：STD4NK60ZT4

這些高壓器件是齊納保護的N溝道功率MOSFET
使用意法半導體（STMicroelectronics）的SuperMESH™技術開發的
優化完善的PowerMESH™。 除了重大
這些器件旨在降低導通電阻，以確保高水平的dv / dt
最苛刻的應用程序的功能。


特征：STD4NK60ZT4
訂貨代碼VDS RDS（on）max。 PTOT ID
STB4NK60Z-1
600 V 2Ω70 W 4 A
STB4NK60ZT4
STD4NK60Z-1
STD4NK60ZT4
•極高的dv / dt功能
•經過100％雪崩測試
•柵極電荷最小化

•齊納保護

應用領域：STD4NK60ZT4

•切換應用

STD4NK60ZT4

制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 4 A
Rds On-漏源導通電阻: 2 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Qg-柵極電荷: 26 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 70 W
通道模式: Enhancement
商標名: SuperMESH
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
配置: Single
高度: 2.4 mm
長度: 6.6 mm
系列: STD4NK60ZT4
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
寬度: 6.2 mm
商標: STMicroelectronics
正向跨導 - 最小值: 3 S
下降時間: 16.5 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 9.5 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 29 ns
典型接通延遲時間: 12 ns
單位重量: 4 g