產品描述：SST39VF040-70-4C-NHE

SST39LF010，SST39LF020，SST39LF040和SST39VF010，SST39VF020，SST39VF040-70-4C-NHE是
采用SST專有的高性能CMOS SuperFlash技術制造的128K x8、256K x8和5124K x8 CMOS多功能閃存（MPF）。與其他方法相比，分裂門電池設計和厚氧化物隧穿噴射器具有更好的可靠性和可制造性。的
SST39LF010 / 020/040設備使用3.0-3.6V電源進行寫入（編程或擦除）。的
SST39VF010 / 020/SST39VF040-70-4C-NHE設備使用2.7-3.6V電源進行寫入。設備符合JEDEC
x8存儲器的標準引腳分配。
SST39LF010 / 020/040和SST39VF010 / 020/SST39VF040-70-4C-NHE具有高性能字節程序
器件提供的最大字節編程時間為20微秒。這些設備使用切換位或數據＃
輪詢以表明程序操作已完成。為了防止意外寫，他們有
片上硬件和軟件數據保護方案。設計，制造和測試
在廣泛的應用范圍內，它們提供的典型使用壽命為100,000次。
數據保留期限超過100年。
SST39LF010 / 020/040和SST39VF010 / 020/SST39VF040-70-4C-NHE器件適用于需要
方便，經濟地更新程序，配置或數據存儲器。對于所有系統應用，它們都可以顯著提高性能和可靠性，同時降低功耗。
與其他閃存技術相比，它們在擦除和編程過程中固有地消耗更少的能源。的
消耗的總能量是施加的電壓，電流和施加時間的函數。因此
在任何給定的電壓范圍內，SuperFlash技術都會使用較少的電流進行編程，并且具有較短的
擦除時間，在任何擦除或編程操作期間消耗的總能量小于替代方法
閃存技術。這些設備還提高了靈活性，同時降低了程序，數據和存儲的成本。
配置存儲應用程序。
SuperFlash技術提供了固定的擦除和編程時間，而與擦除次數無關
發生的擦除/編程周期。因此，系統軟件或硬件沒有
根據替代閃存技術的需要進行修改或降級，其擦除和編程時間隨累積的擦除/編程周期而增加。
為了滿足表面安裝要求，SST39LF010 / 020/040和SST39VF010 / 020/SST39VF040-70-4C-NHE器件
提供32引腳PLCC和32引腳TSOP封裝。引腳分配請參見圖2和3。
SST39LF010，SST39LF020，SST39LF040和SST39VF010，SST39VF020，
SST39VF040-70-4C-NHE是128K x8、256K x8和5124K x8 CMOS多功能閃存
（MPF）采用SST專有的高性能CMOS SuperFlash制造
技術。與其他方法相比，分裂門電池設計和厚氧化物隧穿噴射器具有更好的可靠性和可制造性。的
SST39LF010 / 020/040設備使用3.0-3.6V電源進行寫入（編程或擦除）
供應。 SST39VF010 / 020/SST39VF040-70-4C-NHE器件使用2.7-3.6V電源進行寫入。

這些器件符合x8存儲器的JEDEC標準引腳排列。

SST39LF010，SST39LF020，SST39LF040和SST39VF010，SST39VF020，
SST39VF040-70-4C-NHE是128K x8、256K x8和5124K x8 CMOS多功能閃存
（MPF）采用SST專有的高性能CMOS SuperFlash制造
技術。 與替代方法相比，分裂門電池設計和厚氧化物隧穿噴射器具有更好的可靠性和可制造性。 的
SST39LF010 / 020/040設備使用3.0-3.6V電源進行寫入（編程或擦除）
供應。 SST39VF010 / 020/SST39VF040-70-4C-NHE器件使用2.7-3.6V電源進行寫入。
這些器件符合x8存儲器的JEDEC標準引腳排列。

特征
•組織為128K x8 / 256K x8 / 512K x8
•單電壓讀寫操作
– SST39LF010 / 020/040的3.0-3.6V
– SST39VF010 / 020/040的2.7-3.6V
•高可靠性
–續航力：100,000個循環（典型）
–超過100年的數據保留
•低功耗
（14 MHz時的典型值）
–有效電流：5 mA（典型值）
–待機電流：1 μA（典型值）
•部門擦除能力
–統一的4 KB扇區
•快速讀取訪問時間：
– SST39LF010 / 020/040為55 ns
–對于SST39VF010 / 020/040為70 ns
•鎖存的地址和數據
•快速擦除和字節程序：
–扇區擦除時間：18毫秒（典型值）
–芯片擦除時間：70毫秒（典型值）
–字節編程時間：14 μs（典型值）
–芯片重寫時間：
SST39LF / VF010 2秒（典型值）
SST39LF / VF020為4秒（典型值）
SST39LF / VF040為8秒（典型值）
•自動寫入時序
–內部VPP生成
•寫入結束檢測
–撥動位
–數據＃輪詢
•CMOS I / O兼容性
•JEDEC標準
– Flash EEPROM引腳排列和命令集
•提供包裝
– 32引腳PLCC
– 32引線TSOP（8mm x 14mm）
•所有設備均符合RoHS要求

制造商: Microchip
產品種類: NOR閃存
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PLCC-32
系列: SST39VF
存儲容量: 4 Mbit
電源電壓-最小: 2.7 V
電源電壓-最大: 3.6 V
有源讀取電流（最大值）: 20 mA
接口類型: Parallel
組織: 512 k x 8
數據總線寬度: 8 bit
定時類型: Asynchronous
最小工作溫度: 0 C
最大工作溫度: + 70 C
封裝: Tube
存儲類型: NOR
速度: 70 ns
結構: Sector
商標: Microchip Technology
電源電流—最大值: 20 mA
濕度敏感性: Yes
產品類型: NOR Flash
標準: Not Supported
工廠包裝數量: 30
子類別: Memory & Data Storage
單位重量: 2.333 g