1N4005-T為二極管GEN PURP 600V 1A DO41，包括1.1V@1A電壓正向Vf最大值，如果設計用于600V電壓直流反向Vr最大值，則供應商設備包如數據表注釋所示，用于DO-41，提供速度特性，如標準恢復>500ns，>200mA（Io），包裝設計用于在磁帶和卷盤（TR）以及DO-204AL、DO-41軸向包裝箱中工作，其工作溫度范圍為-65°C~175°C。此外，安裝類型為通孔，該器件采用標準二極管類型，該器件具有10μa@600V電流反向泄漏Vr，電流平均整流Io為1A。
1N4005-T是由Rectron制造的“整流器總成”。是二極管、整流器陣列的一部分，并支持“整流器總成、整流器總成、Junc Plas Rect 1A、600V”。
1N4005-T
1N4007-T
1N4148W-7-F
1N4148WQ-7-F
1N4148WS-7-F
1N4148WSF-7
1N4148WSQ-7-F
1N4148WT-7
1N4148WTQ-7
1N4448HLP-7
1N4448HWS-7-F
1N4448HWT-7
1N4448W-7-F
1N4448WS-7-F
1N4937-T
1N5711W-7-F
1N5711WS-7-F
1N5817-T
1N5819HW1-7-F
1N5819HW-7-F
1N6263W-7-F
1SMB5915B-13
1SMB5917B-13
1SMB5920B-13
1SMB5925B-13
1SMB5927B-13
1SMB5928B-13
1SMB5929B-13
1SMB5931B-13
1SMB5936B-13
1SMB5956B-13
1SR154-400TE25
1SR156-400TE25
1SS355TE-17
1SS355VMFHTE-17
1SS355VMTE-17
1SS390TE61
1SS400CMT2R
1SS400GT2R
1SS400SMT2R
2DA1797-13
2DB1182Q-13
2DB1188R-13
2DB1689-7
2DC4672-13
2DD1664R-13
2DD2678-13
2N7002-7-F
2N7002A-7
2N7002AQ-7
2N7002DW-7-F
2N7002DWQ-7-F
2N7002E-7-F
2N7002H-7
2N7002K-7
2N7002KQ-7
2N7002Q-7-F
2SA1036KT146R
2SA1037AKT146Q
2SA1037AKT146R
2SA1037AKT146S
2SA1576AT106R
2SA1577T106R
2SA1579T106R
2SA1774TLR
2SA1797T100Q
2SA1952TLQ
2SA2018TL
2SA2029T2LR
2SB1132FD5T100R
2SB1132T100R
2SB1182TLQ
2SB1184TLR
2SB1188T100Q
2SB1188T100R
2SB1197KT146Q
2SB1197KT146R
2SB1198KT146Q
2SB1198KT146R
2SC2411KT146R
2SC2412KT146Q
2SC2412KT146R
2SC2412KT146S
2SC3906KT146R
2SC4061KT146N
2SC4081T106R
2SC4082T106P
2SC4102T106R
2SC4617EBTLR
2SC4617TLQ
2SC4617TLR
2SC4672T100Q
2SC5103TLQ
2SC5585TL
2SC5658T2LQ
2SC5658T2LR
2SC5824T100R
2SD1664T100R
2SD1760TLQ
2SD1766T100R
2SD1781KT146Q
2SD1781KT146R
2SD1782KT146Q
2SD1898T100Q
2SD1898T100R
2SD2114KT146V
2SD2142KT146
2SD2170T100
2SD2391T100Q
2SD2703TL
2SD2704KT146
2SK3018FPDT106
2SK3018T106
2SK3019TL
2SK3065T100
2SK3541T2L
74AHC14S14-13
74AHC1G04SE-7
74AHC1G125SE-7
74AHC1G14W5-7
深圳裕碩科技有限公司
聯系方式:0755-23608997
聯系電話：18948751770
QQ:875920352
WX:18948751770
我們的主營品牌有：
XILINX 、韓國ICT 、 ALTERA 、 MAX 、 AD 、 TI 、 NSC 、 ATMEL 、 IDT 、 IXYS 、 AGILENT 、 AVAGO 、 CYPRESS 、 SAMSUNG 、 MARKI 、
Metelics 、 AEROFLEX 、 PULSE 、 FUJI、 TriQuint 、 ACTEL 、 ROHM 、 OKI 、 GSI 、 GAIA 、 PHILIPS/NXP 、 HITTITE 、 ZARLINK 、
NOISE 、 Z-COMMIN 、 EUDYNA/FUJITSU 、 LATTICE 、 ISSI 、 VICOR 、RENESAS 、 Mitshubishi 、 M/A-COM 、 FREESCALE 、 Fairchild 、
ON、 INTERSIL 、 VISHAY/IR 、 LTC 、 TYCO/ AMP 、 E2V 等等 （各品牌均有強勢渠道支持，均來自原廠和代理的優勢分銷渠道）
品質承諾：所有提供產品均為原廠生產。
特色優勢：高端物料、軍品級（宇航級）物料、停產料、緊缺料。
一直以來，制程節點都是衡量工藝演進的重要數字。一串看似無規律的數字，實際上背后隱含的是摩爾定律所劃分的晶體管柵極最小線寬。
但摩爾定律每兩年翻一番速度之下，早在1997年柵極長度和半截距就不再與這種節點名稱匹配。更何況行業已逼近1nm的極限，行業需要更加科學和更加精密的表述形式。
在制程節點方面，帕特·基辛格宣布將會以每瓦性能作為關鍵指標來衡量工藝節點的演進，這是因為對于半導體產品來說，PPA（performance,power and area，性能、功耗、面積）是非常重要的指標。
按照目前的進度來說，英特爾在去年架構日正式宣布10nmSuperFin，并在后續新品中使用。展望后續，將會以全新的方式命名。
Intel10nmSuperFin：這項技術是在2020年架構日正式宣布的，同年7月在TigerLake中使用；后續2021年至強IceLake和AgilexFPGA新產品中也已開始使用。
彼時英特爾宣布的SuperFin技術，是一項媲美制程節點轉換的技術。SuperFin其實是兩種技術的疊加，即Super MIM（Metal-Insulator-Metal）電容器+增強型FinFET晶體。從參數上來看，增強型FinFET擁有M0和M1處關鍵層0.51倍的密度縮放、單元更小晶體密度更高、通孔電阻降低2倍、最低的兩個金屬層提高5-10倍電遷移。
Intel 7：英特爾此前稱之為10nmEnhanced SuperFin，即對SuperFin技術繼續打磨。Intel 7將會亮相的產品包括2021年面向客戶端的Alder Lake以及2022年第一季度面向數據中心的Sapphire Rapids。
據介紹，通過對FinFET晶體管優化，每瓦性能對比此前發布的10nmSuperFin提升約10% - 15%。優化方面包括更高應變性能、更低電阻的材料、新型高密度蝕刻技術、流線型結構，以及更高的金屬堆棧實現布線優化。而在本次宣布中英特爾徹底刪除掉“nm”，改為綜合PPA評定的每瓦性能。
Intel 4：英特爾此前稱之為Intel 7nm。Intel 4將于2022年下半年投產，2023年出貨，產品包括面向客戶端的Meteor Lake和面向數據中心的Granite Rapids。
需要注意的是，Intel 4是首個完全采用EUV光刻技術的英特爾FinFET節點，EUV采用高度復雜的透鏡和反射鏡光學系統，將13.5nm波長的光對焦，從而在硅片上刻印極微小的圖樣。相較于之前使用波長為193nm的光源（DUV）的技術，這是巨大的進步。與Intel 7相比Intel 4的每瓦性能提高了約20%。
通過觀察路線圖，實際上Intel制定的發展路線是圍繞晶體管結構進行轉變的。在步入埃米時代Intel 20A之前，FinFET（Field-effect transistor）工藝仍然擁有極大的優化空間，在步入埃米時代后直接轉向GAA（Gate-All-Around）的RibbonFET。此前臺積電也曾表示，決定仍讓3nm制程維持FinFET架構。
根據公開資料顯示，時下先進制程技術方面，使用的均為FinFET（Field-effect transistor）技術，7nm是FinFET的物理極限，但得益于深紫外（DUV）和極紫外（EUV），制程得以突破7nm、5nm。因此，不難看出Intel的想法與行業是一致的，在Intel 4時候完全引入EUV光刻技術，繼續讓FinFET結構發揚光大。
當然，英特爾的FinFET與行業不同之處在于疊加了Super MIM（Metal-Insulator-Metal）電容器，變為SuperFin技術。該技術由一類新型的“高K”（ Hi-K）電介質材料實現，該材料可以堆疊在厚度僅為幾埃厚的超薄層中，從而形成重復的“超晶格”結構。 這是一項行業內領先的技術，領先于其他芯片制造商的現有能力。
為什么英特爾執意要把數字放到埃米級別？從英特爾CEO的話中我們可以窺探一二，帕特·基辛格說：“摩爾定律仍在持續生效。對于未來十年走向超越‘1nm’節點的創新，英特爾有著一條清晰的路徑。我想說，在窮盡元素周期表之前，摩爾定律都不會失效，英特爾將持續利用硅的神奇力量不斷推進創新。”
英特爾既是摩爾定律的發源地，也是忠實的執行者。按照摩爾定律原本的劃分方式2nm到1nm之間實質上還是擁有很大的發掘空間，而到1nm之后行業也需要一種全新的劃分方式來定義制程節點。此前，行業一直在廣泛討論硅極限的1nm之后的世界，英特爾則直接給出答案——埃米。
通過這樣的疊加和對FinFET結構的繼續優化，可以支撐制程節點轉換到等效2nm節點。但FinFET畢竟有極限，在制程到達埃米級別之時，英特爾選擇的也是GAA結構。學術界普遍認為GAA是3nm/2nm之后晶體管的路，廠商也有類似GAAFET的發布。
英特爾將自己實現的GAA稱之為RibbonFET，這是一種將柵極包裹在源極和漏極的工藝。而從此時開始，Intel也將會引入更高精度的EUV技術，稱之為High-NA EUV，幫助實現埃米級別的提升。值得一提的是，High NA EUV光刻機可謂是炙手可熱的產品，其目標是將制程推進到1nm以下，而傳言中該光刻機成本甚至超過一架飛機，大約3億美元。
Intel 3：Intel 3繼續受益于FinFET技術，Intel 3將于2023年下半年開始生產相關產品。
這是一個比通常的標準全節點改進水平更高的晶體管性能提升。Intel 3將實現更高密度、更高性能的庫；提高了內在驅動電流；通過減少通孔電阻，優化了互連金屬堆棧；與Intel 4相比，Intel 3在更多工序中增加了EUV的使用。較之Intel 4，Intel 3將在每瓦性能上實現約18%的提升。
Intel 20A：PowerVia和RibbonFET這兩項突破性技術正式開啟了埃米時代，Intel 20A預計將在2024年推出。所謂Intel 20A中的“A”代指埃米，1埃米Angstrom =10^-10，1納米=10埃米。
根據介紹，PowerVia是英特爾獨有、業界首個背面電能傳輸網絡，它消除晶圓正面的供電布線需求，優化信號布線，同時減少下垂和降低干擾。RibbonFET是英特爾對于GAA晶體管的實現，是公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構，提供更快的晶體管開關速度，同時以更小的占用空間實現與多鰭結構相同的驅動電流。
Intel 18A：這僅僅是一種前瞻性說法，未來英特爾將會繼續提升RibbonFET，Intel 18A是面向2025年及更遠的未來的。此時，行業將繼續向更小的埃米提升。
需要特別注意的是，英特爾還將會定義、構建和部署下一代High-NA EUV，并有望率先獲得業界第一臺High-NA EUV光刻機。英特爾正與ASML密切合作，確保這一行業突破性技術取得成功，超越當前一代EUV。
日前，英特爾CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）重磅宣布公司有史以來最為詳細的制程技術路線圖，不僅宣布在2024年進入埃米（Angstrom）時代，還宣布了將以更加科學先進的方式度量制程節點。除此之外，與之相關的突破性架構和技術以及未來的規劃逐一被披露。
