擴散工藝的第二個主要部分就是推進氧化步驟。它的不同稱謂有推進( drive-in)、AD667JR擴散(diffusion)、再氧化( reoxidation)或reox。這一步的目的是雙重的：在晶圓的雜質再分布和在暴露的硅表面再生長新的

   1．雜質在晶圓中向更深處的再分布。在淀積過程中，高濃度但很淺的雜質薄層擴散進晶圓表面。推進過裎沒有雜質源。就像噴霧瓶按下噴嘴后噴出的物質會不斷地擴散到整個房間一樣，僅

是熱推動雜質原子向晶圓的更深度和更廣度擴散。在此步中，淀積所引入的原子數量(Q)恒定不變。表面的濃度降低，原子形成新的形狀分布。推進步驟后的分布在數學上用高斯分布來描述（見圖11. 16）結深的增加。通常，推進氧化工藝的溫度高于淀積步驟。

   2．推進氧化的第二個目的就是暴露的硅表面的氧化。爐管中的氛圍是氧氣或水蒸氣，雜 質向晶圓推進的同時進行氧化。

   一些擴散步驟后，會對工程電路芯片上的測試結構進行電測試以獲得結的參數。