外延( epitaxial)一詞來源于希臘文，意為“安排在上面”。在半導體技術中，GS7966-424-116BBZ指薄膜的單晶結構。在CVD反應室內，硅原子被淀積在裸露的晶圓上，形成單晶結構（見圖12. 27）。，當對化學反應劑進行有效控制，并且正確設置了系統的參數時，具有足夠能量的淀積原子到達晶圓表面，并在其表面游動，將自身調整到與晶圓原子的晶體方向相一致。這樣，淀積在<111>晶向的晶圓上便生長成<111>晶向的外延層。

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   另外，如果晶圓的表面有一層薄的二氧化硅、非晶態層表面或污染物‘22，則會影響淀積原子的正確定位，結果導致薄膜結構為多晶硅。這種情形可在某些方面，如MOS柵中得以應用。但對于單晶的薄膜結構，則并不希望多晶的出現。