金一鋁鍵合處開路失效后,在電測試中又會恢復正常,表現出時通時斷現象。JBP28S42此時可進行高溫(200℃以上)存儲,觀察開路失效是否再次出現來確定。金鋁化合物的生長速度取決于金和鋁的純度、有無雜質和環境等因素。IC鋁焊盤的厚度大約是1um,因此,可以認為金球(Gold sphere)是金的無窮大來源,而鋁焊盤則為鋁的有限來源。因此,如此高的金原子比例導致主要金鋁化合物為AuA煬和Au。Al。

   金溶于鋁的速度比較快,所以化合物生長得更靠近鋁的那邊。然而,鋁的數量有限并在不斷減少,化合物的生長變得緩慢,金的擴散速度比化合物的生長速度要快,那么空隙就會在金和化合物之間出現,即“(rkenda11空洞”。如果空洞的面積超過整個金球,開路失效就發生了。另一個機理是化合物的生長壓力。化合物的晶格常數(Lattice∞nstant)比金和鋁都大,它伴隨著生長而擴散,結果是焊點受到了壓力。如果在這種條件下施加熱應力,如溫度循環測試,焊接部分就會裂開,開路失效就發生了。因為內部金屬間化合物的生長強烈地依賴溫度,所以在裝配工藝中嚴格控制好溫度,包括焊接的時間很有必要。