在器件生產過程中,薄柵氧化層上的高電場是影響器件成品率和可靠性的主要因素。 BP1601當有足夠的電荷注入氧化層時,會發生氧化層介質的擊穿,這種擊穿可以在介質層上施加電流或施加一個高電場來獲得。由于電荷的注入會產生結構變化(陷阱、界面態等),引起局部電流的增加,產生熱損傷,導致氧化層有一條低的電阻通路,在介質層上產生不可恢復的漏電。

   斜坡電壓的測量

   JEDEC35“Proccdurc for曲c Wafer-L田cl Tcsting of Thin Dielcc饣ics”標準設計了斜坡電壓測試方法,用于評價氧化層的可靠性。氧化層上的斜坡電壓測試是最經濟最快速的測試技術,可以以很高的靈敏度評價氧化層的質量和可靠性,可以用于生產監控。影響氧化層退化的工藝過程能夠被斜坡電壓法檢測出來。

   測試由3個步驟組成,即初始測試、斜坡應力測試和應力后測試。初始測試是為了確認在使用應力下的漏電流小于1卜認,符合條件的進行下一步的斜坡應力測試。斜坡應力測試是在氧化層上加上步進的電壓應力,同時連續(或者隔某一段時間間隙)測量流過氧化層的電流值。