環境溫度對器件參數的影晌
發布時間:2016/7/1 22:34:04 訪問次數:500
超大規模集成電路主要的失效機理和MOs器件的參數值都與環境溫度有關,CAP003DG環境溫度的變化范圍越寬,對器件可靠性的影響就越大。對于需要工作在惡劣環境條件下的超大規模集成電路,設計時參數變化的幅值必須考慮。對CMOs工藝測試芯片,進行了不同環境溫度條件下器件參數的測量。圖9.21是r―/特性曲線與溫度的關系。隨著溫度的上升,「/曲線的幅值下降,即漏極電流隨溫度的上升而下降。圖9.”所示是器件的不同參數隨環境溫度的變化關系,隨著環境溫度的上升均呈現下降的趨勢。
超大規模集成電路主要的失效機理和MOs器件的參數值都與環境溫度有關,CAP003DG環境溫度的變化范圍越寬,對器件可靠性的影響就越大。對于需要工作在惡劣環境條件下的超大規模集成電路,設計時參數變化的幅值必須考慮。對CMOs工藝測試芯片,進行了不同環境溫度條件下器件參數的測量。圖9.21是r―/特性曲線與溫度的關系。隨著溫度的上升,「/曲線的幅值下降,即漏極電流隨溫度的上升而下降。圖9.”所示是器件的不同參數隨環境溫度的變化關系,隨著環境溫度的上升均呈現下降的趨勢。
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相關技術資料- 7-1PMOS晶體管的亞閾值斜率要比NMOs晶體管的大一些
- 7-1環境溫度對器件參數的影晌
- 7-1影響氧化層電荷的因素很多
- 7-1影響氧化層電荷的因素很多
- 相關IC型號
- CAP003DG
- 暫無最新型號
公網安備44030402000607
