OCVD工藝日益受到人們的廣泛重視,主要是由于它具有下列一些顯著的特點:

   ①可以通過精確控制各種氣體的流量來控制外延層的成分、導電類型、載流子MAX1858EEG-T濃度、厚度等特性,可以生長薄到零點幾納米到幾納米的薄層和多層結構。

   ②同其他外延置藝相比,可以制備更大面積、更均勻的薄膜。

   ③有機源特有的提純技術使得MC)C`①技術比其他半導體材料制備技術獲得的材料純度提高了一個數量級。

   ④晶體的生長速率與Ⅲ族源的供給量成正比,因而改變輸運量,就可以大幅度地改變外延生長速率(0.05~1um/min)。

   ⑤M(￡VD是低壓外延生長技術。因為壓力較低,提高了生長過程的控制精度,能減少自摻雜;有希望在重摻襯底上進行窄過渡層的外延生長,能獲得襯底/外延層界面雜質分布更陡的外延層;便于生長InP、GaInAsP等含Ill組分的化合物外延層。

   但是,MOC、0工藝涉及復雜化學反應,存在使用有毒氣體(AsH3、PH3)等問題。