化學束外延(Chcmicd Beam Epitaxy,CBE)是⒛世紀80年代中期發展起來的。它綜合MAX1957EUB+了MBE的超高真空條件下的束流外延可以原位監測及MOC`⊙的氣態源等優點。與CBE相關的還有氣態源分子束外延(GSMBE)和金屬有機化合物分子束外延(MOMBE)。它們之的主要區別是采用的氣態源的情況不同。

   以ⅢV族化合物半導體外延生長為例,GSMBE是用氣態的V族氫化物(AsH3、PH3等)取代MBE的固態As、P作源材料,AsH3、PH3等通過高溫裂解形成砷、磷分子;MC)MBE則是用Ⅲ族金屬有機化合物.如TEG、TMA(三甲基鋁)等作為源材料,它們的氣態分子經熱分解形成Ga、Al等原子;CBE則是V族和Ⅲ族源均采用上述的氣態源。摻雜源可以用固態,也可以用氣態。CBE的生長過程是Ⅲ族金屬有機化合物分子射向加熱襯底表面、熱分解成Ⅱ族原子和碳氫分子根.再與經高溫裂解后形成和到達襯底的Ⅴ族原子反應,其生長速率取決于襯底溫度和Ⅲ族金屬有機化合物分子的到達速率。