共發射極電流放大系數。它既是晶體管一個重要的電學參數,也是檢驗晶體管經過硼、磷擴R5400N102CA-TR-FF散所形成的兩個擴散結質量優劣的重要標志。影響放大系數的因素很多,這里僅從擴散工藝本身列舉提高`值的一些途徑。

    ①減小基區寬度:囚為卩值與基區寬度有關,基區寬度越小,`值就越高。所以,若磷擴散后可再提高磷擴散溫度或延長擴散時間,使發射結結深往前推移,基區變薄。但并不是基區寬度越小越好。若基區寬度太小,`值過高,往往會使晶體管的電性能不穩定,擴散也難控制。磷主擴散后,還要進行三次氧化(或再擴散),發射結深度還會向前推移。因此經主擴散后所測得的`值不一定要求很高,其數值依不同要求而定。

    ②減少復合:復合包括體復合和表面復合。體復合與源材料中存在的缺陷和雜質有關,也和整個擴散過程多次高溫處理所產生的二次缺陷和引人的有害雜質有關。所以,在擴散I藝中應盡量選擇雜質原子的共價半徑與硅原子半徑0.117nm相當,盡量采用溫度較低的擴散工藝方法。在進行高溫處理后,應緩慢降溫,保證晶格的完整性。同時,應加強工藝衛生,避免引人新的雜質沾污。至于表面復合問題,主要加強I藝衛生避免表面沾污,改善表面狀態,防止表面損傷和進行表面鈍化等。

    ③減小R史/Rab值:從《晶體管原理》知道,減小發射區的薄層電阻R義與基區薄層電阻凡b的比值,可提高發射極的注人效率γ。在工藝中常有這樣的情況,即基區已經是很薄了,但`還是很小。顯然,這時`小的原因已不是基區寬度的問題,而可能是注人效率太小而導致的。一般認為,磷擴散溫度和時間應根據硼擴散的薄層電阻和結深來確定。若Rab丬、結較深就必須提高磷擴散溫度或延長擴散時間,反之則降低溫度或縮短時問。總之,硼、磷擴散一定要配合好,才能得到較好的效果。