隨著半導體集成電路的高速發展,半導體器件特征尺寸不斷減小,芯片集成度不斷提高,特征尺寸的降低,超淺結、 NCP1117LPST25T3G陡峭的雜質分布等需要促使工藝技術進一步改進,近年發展的擴散摻雜技術包括快速氣相摻雜和氣體浸沒激光摻雜。

   (D快速氣相摻雜(Ramd vapα-pl△ase Dophg,RVD這是一種摻雜劑從氣相直接向硅中擴散,并能形成超淺結的快速摻雜工藝。利用快速熱處理過程(RTP)將處在摻雜氣氛中的硅片快速均勻地加熱至所需要的溫度,同時摻雜劑發生反應產生雜質原子,雜質原子直接從氣態轉變為被硅表面吸附的固態,然后進行固相擴散,完成摻雜目的。與普通擴散爐中的摻雜不同,快速氣相摻雜在硅片表面上并未形成含有雜質的玻璃層。與離子注人相比(特別是在淺結的應用上),RVD技術的潛在優勢在于它并不受離子注人所帶來的一些效應的影響,如溝道效應、晶格損傷或使硅片帶電。

    對氣相摻雜劑流量的精確控制是保證摻雜濃度和均勻性滿足要求的重要條件,一般是通過稀釋氣體(如氫氣)控制氣態摻雜劑的濃度。最終的表面摻雜濃度Cs和結深凸取決于氣態摻雜劑的濃度、熱處理時間和溫度。硼的摻雜劑通常是馬H6,磷的摻雜劑通常是PH3,它們的載氣均使用H2。快速氣相摻雜在UIsI工藝中得到廣泛應用,如對DRAM中電容的摻雜,深溝側墻的摻雜,甚至在CMOs淺源漏結的制造中也采用快速氣相摻雜技術。在很多方面快速氣相摻雜可以替換離子注人技術,與離子注入制造的芯片相比,快速氣相摻雜制造的短溝CM(DS器件顯示出更好的特性。對于選擇擴散來說,采用快速氣相摻雜I藝仍需要掩膜。另外,快速氣相摻雜仍然要在較高的溫度下完成。雜質分布是非理想的指數形式,類似固態擴散,其峰值處于表面處。