注入離子引起的晶格損傷可能是簡單的點缺陷,也可能是復雜的損傷復合體,甚至使M64026FP晶體結構完全受到破壞而變為無序的非晶層。晶格損傷情況,不僅與人射離子的質量、能量有關,而且與離子注人劑量、劑量率以及靶溫和晶向等因素有關,以下將使晶體剛剛變成非晶層的各種影響因素的臨界量進行簡單介紹。

   與注入劑量的關系

   當注入劑量較低時,各個人射離子形成的損傷區彼此很少重疊,注人區內形成的將是許多互相隔開的損傷區。當注人劑量增大時,各個損傷區最終將會發生重疊而形成連續的非晶層,開始形成連續非晶層的注人劑量稱為臨界劑量。一般來說,在一定的條件下,隨著注入劑量的增加,所引起的晶格損傷也更加嚴重。當劑量達到一定數量時,就會形成完全無序的非晶層。例如,將Irl・注人Ge或將 Sb=、Ga÷、P+注人⒏中,注人層損傷量隨注人劑量變化的關系如圖623所示。由圖623可知,當注入劑量較小時,損傷量隨注人劑量成正比地增加;當注入劑量增大到某個值時,損傷量不再增加,趨于飽和。損傷量飽和正是對應于連續非晶層的形成。開始飽和的注人劑量就稱為臨界劑量。由圖623還可看到,注人的離子質量越小,其臨界劑量越大。