從概念上講,曝光系統的工作原理與照相機類似,就是通過一系列光學系統將掩模板上的圖形按照一定的比例(如4:1)投影在襯底上的光刻膠涂層上。S2971F10理論上,如果襯底上的最小線寬(C⒒uccˉln_mension)要達到45nm或32nm,掩模板上的圖形最小線寬只要達到180nm或]28nm即可,與其他制作工藝相比,掩模板的制造工藝相對要容易了很多。但掩模板如同投影用的電影膠片的底片一樣。它的技術水平直接影響著光刻技術的發展,特別是隨著最小線寬的逐漸縮小,投影到光刻膠涂層上的圖形對比度和圖形失真等問題將越來越嚴重,掩模板制造將面臨如何從設備、I藝、版圖設計等多方面著手以應對45nm和32nm I藝節點的新挑戰。

   傳統光學光刻及制版技術面臨的挑戰

   集成電路日前正處于由ULSI(甚大規模集成電路)而跨入GSI(巨大規模集成電路)的時代。以作為微細化、高集成化先導的M(E(金屬氧化物半導體)工藝和DRAM(動態隨機存取存儲器)電路為例,1GB DRAM可集成大約10億個元件。為了把這么多元件高密度地集成在ULSI的芯片中,元件和電路的最小尺寸極其細微:在64MB DRAM中是O.35~0.5um,在256MB的DRAM是0,25~o・35um。目前大批量生產所用的技術為40~65nn),領先技術已達28nm,至于今后究竟能達到多大的集成化,在很大程度上有待于微細加I技術的進步。集成電路將沿著微細、高集成化的方向發展。這種微細一高集成化的原動力,就是在硅襯底上形成元件和路微細圖形的制版光刻技術。集成電路的制版光刻技術按所使用光源的不同可分為光學光刻技術、X射線光刻技術、電子束光刻技術和離子束光刻技術等。