在14nm節點,由于FinFET鰭的寬度只有5nm左右,溝道寬度的變化可能會導致不良的V1以及驅動電流的變化等。OB3330CPA采用全包圍柵(Gate―Al⒈Around Rcctangular,GAAR)器件結構是FinFET器件的自然延伸Ll d5]。在這種結構中,柵極結構將鰭形溝道全部包裹起來,進一步改善了器件對短溝道效應的控制。然而由于I藝的限制,這些GAAR型器件的溝道多為長方體形狀,不可避免的銳角效應使得矩形溝道截面中的電場仍然不均勻。更進一步的是采用圓柱體全包圍柵(Gat∈Al⒈Around Cylindlical,GAAC)器件結構[16~Dl。在這種結構中,柵極結構將圓柱體溝道全部包裹起水,克服了銳角效應,進一步改善了器件對短溝道效應的控制。由于具各近乎完美的靜電完整性,圓柱體全包圍柵器件備受關注。圖1.10給出CMC)S器件由二維平面結構向三維非平面結構的演進[12汛Ⅱ~0~l。

   ⒛11年初,Intel公司在其22nmェ藝技術節點上首次推出了商品化的FinFET產品IvrBridgc[22Γ。其器件結構與早期Hisamoto的Delta FET及其相似,如圖1.10所示,只是省略了局域化襯底絕緣隔離I藝,依舊采用阱隔離技術將溝道與體硅襯底隔離開來。環柵納米線器件因其更優異的靜電完整性和彈道輸運特性,有望取代FinFET并應用在10nm以下節點。但由于PN結漏電問題,也將面臨一些挑戰。