CM(B邏輯電路的制造技術是超大規模集成電路(VIsI)半導體工業的基礎。R1EX24128BSAS0I在3.1節將會描述現代CMOS邏輯制造流程,用以制造NMOS和PM(E晶體管。現今,典型的CMOS制造I藝會添加一些額外的流程模塊來實現多器件閾值電壓(V1),例如不同柵氧厚度的IO晶體管、高壓晶體管、用于DRAM的電容、用于閃存(Ⅱash memory)的浮柵和用于混合信號應用的電感等。在3.2節,將會簡要地介紹不同的存儲器技術(DRAM、⒏DRAM、FcRAM、PCRAM、RRAM、MRAM)和它們的制造流程。制造流程、晶體管性能、成品率和最終電路/產品性能之間有很強的關聯性,囚此,CMOS和存儲器制造流程的知識不僅對加工工程師和器件工程師十分必要,對電路設計和產品I程師也同樣重要。